論文 - 石黒　仁揮

Experimental Evidence for Quantum Mechanical Narrow Channel Effect in Ultra-Narrow MOSFETs

H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto

IEEE Electron Devices Letters 21 （ 8 ） 396 - 398 2000年08月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Impact of the Device Scaling on the Low-Frequency Noise in n-MOSFETs

H. M. Bu, Y. Shi, X. L. Yuan, Y. D. Zheng, S. H. Gu, H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto

Applied Physics A A71 （ 2 ） 133 - 136 2000年06月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Random telegraph signals and low-frequency noise in n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with ultranarrow channels

H. M. Bu, Y. Shi, X. L. Yuan, J. Wu, S. L. Gu, and Y. D. Zheng, H. Majima, H. Ishikuro, and T. Hiramoto

Applied Physics Letters 76 （ 22 ） 3259 - 3261 2000年05月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Control of Coulomb blockade oscillations in silicon single electron transistor using silicon nano-crystal floating gates

Nobuyoshi Takahashi, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto

Applied Physics Letters 76 （ 2 ） 209 - 211 2000年01月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates

Eiji Nagata, Nobuyoshi Takahashi, Yuri Yasuda, Takashi Inukai, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 38 （ 12B ） 7230 - 7232 1999年12月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Highly Integrated Single Electron Devices and Giga-bit Lithography

Toshiro Hiramoto, H. Ishikuro, and H. Majima

Journal of Photopolymer Science and Technology 12 （ 3 ） 417 - 422 1999年06月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Coulomb Blockade in VLSI-Compatible Multiple-Dot and Single-Dot MOSFETs

Toshiro Hiramoto and Hiroki Ishikuro

International Journal of Electronics 86 （ 5 ） 591 - 603 1999年05月

研究論文（学術雑誌）, 単著, 査読有り

Characteristics of Narrow Channel MOSFET Memory Based on Silicon Nanocrystals

Yi Shi, Kenichi Saito, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 38 （ 4B ） 2453 - 2456 1999年04月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Measurement of Energetic and Lateral Distribution of Interface State Density in FD SOI MOSFETs

Tran Ngoc Duyet, Hiroki Ishikuro, Yi Shi, Takuya Saraya, Makoto Takamiya, and Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 38 （ 4B ） 2496 - 2500 1999年04月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

On the origin of tunneling barriers in silicon single electron and single hole transistors

H. Ishikuro and T. Hiramoto

Applied Physics Letters 74 （ 8 ） 1126 - 1128 1999年02月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Effects of Interface Traps on Charge Retention Characteristics in Silicon-Quantum-Dot-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes

Yi Shi, Kenichi Saito, Hiroki Ishikuro, and Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 38 （ 1B ） 425 - 428 1999年01月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Fabrication of Nano-Scale Point Contact Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors Using Micrometer-Scale Design Rule

Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 38 （ 1B ） 396-398 1999年01月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Quantum Energy and Charging Energy in Point Contact MOSFETs acting as Single Electron Transistors

Toshiro Hiramoto and Hiroki Ishikuro

Superlattices and Microstructures 24 （ 1-2 ） 263 - 267 1999年

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Effects of traps on charge storage characteristics in metal-oxide-semiconductor memory structures based on silicon nanocrystals

Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro, and T. Hiramoto

Journal of Applied Physics 84 （ 4 ） 2358-2360 1998年08月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Hopping Transport in Multiple-Dot Silicon Single Electron MOSFET, Solid State Electronics

H. Ishikuro and T. Hiramoto

Solid State Electronics 42 （ 7-8 ） 1425 - 1428 1998年07月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Suppression of Geometric Component of Charge Pumping Current in Thin Film SOI MOSFET

N. Duyet, H. Ishikuro, M. Takamiya, T. Saraya, and T. Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 37 （ 7B ） L855 - L858 1998年07月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Fabrication of Gate-All Around MOSFET by Silicon Anisotropic Etching Technique

T. Mukaiyama, K. Saito, H. Ishikuro, M. Takamiya, T. Saraya, and T. Hiramoto

Solid State Electronics 42 （ 7-8 ） 1623 - 1626 1998年06月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Quantum mechanical effects in the silicon quantum dot in a single-electron-transistor

Hiroki Ishikuro and Toshiro Hiramoto

Applied Physics Letters 71 （ 25 ） 3691 - 3693 1997年12月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Room Temperature Coulomb Blockade and Low Temperature Hopping Transport in a Multiple-Dot-Channel MOSFET

T. Hiramoto, H. Ishikuro, T. Fujii, G. Hashiguchi, and T. Ikoma

Japanese Journal of Applied Physics 36 （ 6B ） 4139 - 4142 1997年06月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

Fabirication of Si Nano-Structures for Single Electron Device Applications by Anisotropic Etching

T. Hiramoto, H. Ishikuro, K. Saito, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, and T. Ikoma

Japanese Journal of Applied Physics 35 （ 12B ） 6664 - 6667 1996年12月

研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り