Presentations -

H-doped SmFeAsO の臨界電流密度解析

末村智紀, 川松拓也, 堀地竜成, 的場正憲, 神原陽一

2023年度日本材料科学会 学術講演大会, 

2023.05

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Poster presentation

水素導入熱処理プロセスのY0.77Gd0.23Ba2Cu3O7-δ薄膜におけるキャリア輸送現象の結晶構造依存性

浪田秀郎, 佐藤弘之, 的場正憲, 岩崎秀, 藤岡正弥, 原由子, 原田工夢, 三浦正志, 神原陽一

2023年度日本材料科学会 学術講演大会, 

2023.05

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Oral presentation (general)

CoドープしたYBa2Cu3O7-δの酸素発生反応における触媒能

田原大雅, 貝塚泰介, 倉持令, 神原陽一, 的場正憲

2023年度日本材料科学会 学術講演大会, 

2023.05

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Oral presentation (general)

SmOFを出発物質としたSmFeAsO1-xFx (nominal x = 0.16)の合成とＸ線回折分析

岡田あゆみ, 小林幸弘, 竹内涼真, 神原陽一, 的場正憲

2023年度日本材料科学会 学術講演大会, 

2023.05

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Oral presentation (general)

Bi-2212のSol-gel法による合成の焼成条件改善と酸素発生反応触媒活性能の評価

竹内眞宏, 宮本隼太, 松村崇大, 神原陽一, 的場正憲

2023年度日本材料科学会 学術講演大会, 

2023.05

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Oral presentation (general)

ファンデルワールス型二次元材料 EuSn2P2の元素選択的な磁性

神原 陽一, 志村岳栄, 劉子豪, 的場正憲, 北尾 真司, 瀬戸誠

第70回 応用物理学会春期学術講演会, 

2023.03

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Oral presentation (general)

H-dopeを試みた層状オキシカルコゲナイドLaCuS0.5Se0.5Oの電気的性質

伊藤大平, 中島大, 東伸彦, 的場正憲, 神原陽一, 藤岡正弥

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

水素導入熱処理プロセスのY0.77Gd0.23Ba2Cu3O7-δ薄膜の安定性

浪田秀郎, 佐藤弘之, 的場正憲, 藤岡正弥, 岩崎秀, 原由子, 原田工夢, 三浦正志, 神原陽一

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

YBa2Cu3O7-δの酸素発生反応における触媒能の評価

田原大雅, 貝塚泰介, 倉持令, 的場正憲, 神原陽一

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

SmOFを出発物質としたSmFeAsO1-xFx (nominal x = 0.16)の合成とX線回折分析

岡田あゆみ, 小林幸弘, 竹内涼真, 神原陽一, 的場正憲

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

アンモニア合成新触媒Ru担持[Ca24Al28O64]4+(e-)4の表面構造予測

三橋滉, 藤森新, 的場正憲, 神原陽一

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

磁性トポロジカル絶縁体候補EuSn2As2の磁気光学Kerr効果測定

清水眞秀, 山田悠太郎, 神原陽一, 的場正憲

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

磁気光学イメージングによるnominal SmFeAsO0.77H0.14の臨界電流密度測定

末村智紀, 川松拓也, 堀地竜成, 神原陽一, 的場正憲

一般社団法人日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

2022.12

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Oral presentation (general)

Element specific magnetic properties of a novel van der Waals 2D material

Y. Kamihara

KJMST2022 (in Materials research society of Korea, fall conference 2022) (Jeju) , 

2022.11

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Oral presentation (invited, special), MRS-Korea & MSSJ, Japan

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二次元磁性層状化合物EuSn2As2およびEuSn2P2の過去の報告とアプローチをレビューし、EuとSnが内部磁場を自発磁化として生じることを報告した。

The synthesis of SmFeAsO1-xFx (nominal x = 0.16) by reaction route using SmOF

Y. Kobayashi, R. Sakagami, R. Takeuchi, M. Matoba, and Y. Kamihara

KJMST2022 (in Materials research society of Korea, fall conference 2022) (Jeju) , 

2022.11

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Poster presentation, MRS-Korea & MSSJ, Japan

　View Summary

鉄系高温超伝導体の内、最も高い超伝導転移温度(Tc)はSmFeAsOの酸素サイトにフッ素をドープすると得られる。フッ素濃度とTcは相関する。より高いTcを得るためにより高いフッ素濃度を実現するために、SmFeOFを用いた新規な反応経路を報告する。

Thin film preparation and Raman spectroscopy of EuSn2As2

Y. Yamada, R. Sakagami, M. Matoba, and Y. Kamihara

KJMST2022 (in Materials research society of Korea, fall conference 2022) (Jeju) , 

2022.11

, 

Poster presentation, MRS-Korea & MSSJ, Japan

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二次元磁性層状化合物EuSn2As2の単結晶から、ナノ構造を機械的剥離により取り出すための過程を報告する。現在は、数十mの厚さの固体と、数百 nm の表面付近の構造が観察されていることを報告する。

The catalytic activity of YBa2Cu3O7-x for oxygen evolution reaction

T. Kaizuka, Y. Kamihara, and M. Matoba

KJMST2022 (in Materials research society of Korea, fall conference 2022) (Jeju) , 

2022.11

, 

Poster presentation, MRS-Korea & MSSJ, Japan

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CoをCuサイトに部分置換したYBa2Cu3O7のμワイヤーの酸素発生反応における電気化学触媒としての性能を報告した。

Review on a mixed anion layered compound (MALC) polycrystalline LaCu1−δS0.5Se0.5O (δ ~ 0.01) as a degenerate semiconductor

Yoichi KAMIHARA

International conference on frontier areas of science & technology (ICFAST-2022) (Hyderabad) , 

2022.09

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Oral presentation (invited, special),  Institute of Eminence (IoE), University of Hyderabad, India, Japan Society for Promotion of Science (JSPS), Japan, and Science and Engineering Research Board (SERB), India

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Mixed anion layered compounds (MACLs) demonstrate several functional electronic properties; i.e., thermoelectric conversion1, superconductivity2, and transparent semiconductivity3. These functionalities strongly depend on the chemical compositions, that had been controversial on a complex mixed anion compound. Semiconducting MALC LaCu1−deltaS0.5Se0.5O are synthesized via solid state reaction. We synthesized several nominal LaCu1−deltaS0.5Se0.5O (delta = 0, ~0.01, and ~0.02). A degenerated semiconducting bulk LaCu1−deltaS0.5Se0.5O appears at delta ~ 0.014. p-type carriers are doped due to Cu deficient Cu1−deltaS0.5Se0.5 layers in LaCu1−deltaS0.5Se0.5O. In-gap states, which dominate electrical conduction, are observed at energy ~0.5 eV higher than that of the valence band in an energy band diagram for delta ~ 0.01.

EuSn2P2のメスバウワ分光測定結果

志村岳栄, 劉子豪, 的場正憲, 神原陽一, 北尾真司, 瀬戸誠

第46回日本磁気学会学術講演会 (信州大学(工学部)) , 

2022.09

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Oral presentation (general)

SmFeAsO1-xFx(nominal x = 0.16)の反応経路の改良

竹内涼真，小林幸弘, 神原陽一

日本材料科学会2022年度学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

2022.05

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Oral presentation (general)