論文 - 太田　英二

Screening distance and ionized impurity scattering for holes in the warped and non-parabolic band

武田，田口，太田英二，坂田

Keio Sci. Tech. Rep (1982) Vol.35 （ No.10 ） 169- 184 1982年

共著

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Dingleの自己無撞着法により，歪んだ価電子帯におけるイオン化不純物ポテンシャルの遮へい長を計算した。得られた遮へい長を用いて，これまでの理論の有効範囲を検討した。

Energy levels and degeneracy ratios for chromium in silicon

國尾，西野，太田英二，坂田

Solid-St. Electron (1981) Vol.24 （ No.12 ） 1087 -1091 1981年12月

共著

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シリコン中のクロム不純物に関連する深い不純物準位と縮退比をホール係数の温度依存性をカーブフィッティングして求めた。熱処理によりクロム関連不純物中心が変化する可能性がある。

Effect of boron concentration on　hole capture cross section at vanadium centers in silicon

坂田，國尾，太田英二

Japan. J. Appl. Phys (1980) Vol.19 （ No.12 ） 2525 -2526 1980年12月

共著

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Si中のバナジウム不純物中心における正孔放出および捕獲過程の特性をそれらの温度依存性，ボロン濃度依存性より明らかにした。

Thermal emission rates and capture　cross sections of majority carriers at vanadium centers in silicon

坂田，太田英二

Solid-St. Electron (1980) Vol.23 （ No.7 ） 759 - 764 1980年07月

共著

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バナジウム（Ⅴ）を含むSi p-n接合を用い，暗容量過渡応答法およびパルスバイアス法により，不純物中心における多数キャリアの熱的放出率と捕獲断面積を求めた。３つの深い準位について測定しその性質について論じた。このうち価電子帯に近いドナー準位への正孔の捕獲面積は温度に大きく依存し，これを非放射多フォノン放出過程として説明した。

Energy levels and degeneracy ratios for magnesium in n-type silicon

坂田，太田英二

Solid-St. Electron (1979) Vol.22 （ No.7 ） 677 - 682 1979年07月

共著

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ホール係数測定値に最小二乗法の原理を用いた曲線のあてはめを行いn-Si中のMg不純物準位と縮退比を決定した。MgはSi中で２つの異った格子位置にあることを論じた。

Electrical properties of selenium-diffused silicon

金，坂田，太田英二

Japan. J. Appl. Phys(1979) Vol.18 （ No.5 ） 909 - 915 1979年05月

共著

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ホール係数測定値に二重ドナーを含めた曲線をあてはめてSi中のSe不純物準位と縮退比を求めた。Si中のSeドナーの性格を論じた。

Temperature dependence of Hall factor in low-compensated n-type silicon

坂田，太田英二

Japan. J. Appl. Phys (1978) Vol.17 （ No.10 ） 1795 -1804 1978年10月

共著

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リンを含むn-Siのホール係数ファクターの温度依存性を得るためにホーム係数と移動度の実験結果を計算と比較した。イオン化不純物散乱を含めたモデルを用いて，ホールファクターの温度依存性，不純物濃度依存性，不純物補償の効果を明らかにした。

Degeneracy ratios and impurity levels of vanadium in n-type silicon by Hall measurement

坂田，太田英二

Japan. J. Appl. Phys, (1977) Vol.16 （ No.1 ） 199 - 200 1977年01月

共著

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ｎ型Si中のバナジウム不純物に対し，ホール係数測定値より曲線のあてはめ法を用いて不純物準位と縮退比を求めた。深いドナーとアクセプタ準位のあることを見出した。