論文 - 太田　英二

Hole mobility of GaAs, GaP, and GaAs_1-x_ P_x_ mixed-compound semiconductors

武田，松本，田口，滝，太田英二，坂田

Phys. Rev. B（1985) Vol.32 （ No.2 ） 1101-1111 1985年07月

共著

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GaAa-GaP合金系における正孔移動度を半経験的に計算した。合金化散乱と価電子帯間相互作用の効果をしらべ，後者はリン含量と温度の上昇に伴って大きな影響を与えることを示した。

３１Ｐ―ＮＭＲを用いた高等植物の細胞内pH測定

鳥光，矢崎，太田英二，坂田

応用物理 (1985) Vol.54 （ No.7 ） 726 -731 1985年07月

共著

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高等植物の細胞内pHを非破壊で生きたまま測定するために灌流系を用いた３１Ｐ―ＮＭＲで測定した。この方法で細胞質と液胞のpHを同時に測定することが可能であることを示した。

Longitudinal magneto phonon resonance in n-type InP in Ohmic and hot electron region

滝，王子田，太田英二，坂田，山田，福井，三浦

Tech. Rep. ISSP Ser. A (1985)  （ No.1533 ） 1 -25 1985年05月

共著

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エピタキシャル成長n-InP の縦磁気フォノン共鳴を30T までのパルス磁場で測定した。40K 以下の低温では強磁場領域にhot electronに関連する新しい共鳴ピークを得た。

Effect of K^+^ and H^+^ stress and role of Ca^2+^ in the regulation of　intracellular K^+^ concentration in mung bean roots

鳥光，林，太田英二，坂田

Physiol. Plant (1985) Vol.63 （ No.3 ） 247-252 1985年03月

共著

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豆幼根を用いて外液中のＫ＋ ，Ｈ＋ ，およびCa２＋濃度が細胞内Ｋ＋ 濃度とＫ＋―ＡＴＰase活性に及ぼす影響をしらべた。高濃度の外液Ｋ＋Ｈ＋ は細胞内Ｋ＋ 濃度を減少させるが，Ca２＋はこの効果を抑制する。これをCa２＋がＫ＋ の細胞内への取込を活性化することと結びつけた。

Effect of external pH on the cytoplasmic and vacuolar pHs in mung　bean root-tip cells:a ３１ P nuclear magnetic resonance study

鳥光，矢崎，長須賀，太田英二，坂田

Plant and Cell Physol (1984) Vol.25 （ No.8 ） 1403-1409 1984年12月

共著

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モヤシ豆幼根先端細胞内pHの外液pHによる変化３１Ｐ―ＮＭＲを用いてしらべた。細胞質および液胞におけるリン化合物と無機リン酸が検出され，化学シフトから細胞内pHを得た。中性に近い広い範囲の外液pHで，細胞内pHは安定に調整され，これをＨ＋―ATPaseによるＨ＋ の能動輸送のためであるとした。

Photoionization cross sections in vanadium doped silicon

太田英二，國尾，佐藤　坂田

J. Appl. Phys (1984) Vol.56 （ No.10 ） 2890 -2895 1984年11月

共著

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p-n 接合による光容量法を用いてシリコン中のバナジウム不純物準位の性質をしらべた。当該不純物中心の光イオン化断面積スペクトルを光-熱複合イオン化過程と電子-格子相互作用による格子緩和により説明した。

Magnetophonon resonance in epitaxial n-InP in high pulsed magnetic fields

前田，滝，坂田，太田英二，山田，福井，三浦

J. Phys. Soc. Japa (1984) Vol.53 （ No.10 ） 3553-3559 1984年10月

共著

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高純度エピタキシャルｎ型 InPの横磁気フォノン共鳴を 40Tまでのパルス磁場中で測定した。磁気フォノン共鳴に関与するバンドの有効質量とその温度依存性が得られた。

Transverse magneto phonon resonance in p-Te in high pulsed magnetic fields

前田，三浦，坂田，太田英二

J. Phys. Soc. Japan (1984) Vol.53 （ No.9 ） 3120-3125 1984年09月

共著

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ｐ型Teの横磁気フォノン共鳴を35T までのパルス磁場中で測定した。67K 以上の温度で約22Tに新しい磁気フォノン共鳴を見出した。これはEh光学フォノンモードによるものと同定した。

Electrical resistivity of thin films of amorphous Cr_1-x_ Mn_x_ Ge

佐藤，一方井，太田英二，坂田

J. Phys. F:Met. Phys(1984) Vol.14 （ No.9 ） 2087-2095 1984年09月

共著

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非晶質Cr１―ｘ Mnｘ Ge合金の電気抵抗とホール抵抗率を測定し，この系の磁気的性質について議論を行なった。

Effect of K^+^ (86Rb) transport and　the net H＋ efflux on electrical properties along bean (Phaseolus mungo) roots

石川，山村，古越，太田英二，坂田

Plant and Cell Physion. (1984) Vol.25 （ No.9 ） 1045-1051 1984年09月

共著

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細胞生長に依存した豆幼根の軸に沿った電位分布を８６ Rb トレーサー実験とpHの影響から得られたＫ＋ およびＨ＋ 輸送と関連づけて論じた。伸長域ではＫ＋ の能動的取込みとＨ＋ の放出が行われている。

Magnetophonon resonance in epitaxial n-InP in high pulsed magnetic field

前田，滝，坂田，太田英二，山田，福井，三浦

Tech. Rep. ISSP. Ser. A (1984)  （ No.1442 ） 1 -22 1984年06月

共著

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高純度エピタキシャルｎ型InP の横磁気フォノン共鳴を 40Tまでのパルス磁場中で測定した。磁気フォノン共鳴に関与するバンドの有効質量とその温度依存性が得られた。

Transverse megneto phonon resonance in p-Te in high pulsed magnetic field

前田，三浦，坂田，太田英二

Tech. Rep. ISSP. Ser. A (1984)  （ No.1433 ） 1 -19 1984年05月

共著

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ｐ型Teの横磁気フォノン共鳴を35T までのパルス磁場中で測定した。67K 以上の温度では約22T に新しい磁気フォノン共鳴を見出した。これはEh光学フォノンモードによるものと一致する。

非晶質Cr_1-x_ Ge_x_ 合金の構造・電気抵抗および磁化率

佐藤，下野，飯田，城生，太田英二，坂田

日本応用磁気学会誌 (1984) Vol.8 （ No.2 ） 137- 140 1984年05月

研究論文（学術雑誌）, 共著

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非晶質Cr１―Ｘ GeＸ 合金の電気抵抗率と磁化率の測定を行い，また構造については干渉関数と原子の分布関数を得た。電気抵抗と構造の関係はザイマン理論を基礎として論じ，磁化率の組成依存性をCr原子の磁気的クラスターを仮定して説明した。

Effect of external KCl on electrical properties and K^+^ (８６Rb) transport in the elongating region of intact Phaseolus mungo roots

石川，松浦，山村，太田英二，坂田

Plant and cell Physiol (1984) Vol.25 （ No.3 ） 359-369 1984年03月

共著

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コクズ幼根において，外液KCl 濃度が外部電位とＫ＋ (８６Rb)輸送または外部電位と皮層細胞内電位に与える効果をそれぞれ同時測定した。伸長域へのＫ＋ 輸送は細胞内電位の脱分極と関連しており，高濃度KCl 条件下で阻害された。

Contactless measurement of short carrier lifetime in heat-treated n-type silicon

山崎，荻田，池上，尾中，太田英二，坂田

Japan. J. Appl. Phys (1984) Vol.23 （ No.3 ） 322-325 1984年03月

共著

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熱処理したSi中のキャリア寿命と電気的性質を測定した。熱的に導入された深いドナ準位が再結合中心として作用することを明らかにした。また非接触測定により非常に短いキャリア寿命の測定が可能となった。

Magnetic properties of Cr_1-x_ Fe_x_　Ge

佐藤，太田英二，坂田

J. Phys. Soc. Japan(1983) Vol.52 （ No.9 ） 3163 1983年09月

共著

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Cr１―ｘ FeＸ Geの磁化率より，その電位相関はFe濃度の増加とともに強まり，その系統的変化がスピンのゆらぎ理論で説明できることを見出した。

Effect of periodic and transient-osmotic stress on electric potentials in bean roots

石川，安保，太田英二，坂田

Plant and Cell physion (1983) Vol.24 （ No.6 ） 1129- 1135 1983年09月

共著

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コクズ幼根に周期的および一過的な浸透ストレスを加えたときの細胞内および外部電位を測定した。細胞内電位応答はむだ時間要素と一次遅れ要素をもつモデルを用いて説明できる。

Saturated photocurrent method for measurement of the optical ahsorption coefficient in a semiconductor

清水，武田，柳川，太田英二,坂田

J. Appl. Phys. (1983) Vol.54 （ No.7 ） 4218-4220 1983年07月

共著

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ショットキー障壁を用いたＳＰＣ法（定常光電流法）なる新しい方法を考案してキャリアの界面透過係数を実験的に求め表面処理による相異を検討した。

Defect levels in chromium doped silicon

國尾，山崎，太田英二，坂田

Solid-St. Electron (1983) Vol.26 （ No.2 ） 155- 160 1983年02月

共著

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Si中のCr不純物準位に容量過度応答法を用い，多数キャリア放出率と捕獲断面積を測定した。クロムの長時間拡散により３つの深い準位の生成を認めた。

Study of energy band parameters in p-type Ge_0.9_ Si_0.1_ alloy

武田，前田，太田英二，坂田，三浦

Phys. Stat. Sol. (b) , (1983) Vol.115   369-379 1983年

共著

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Ｐ型Ge０.９ Si０.１ 合金のサイクロトロン共鳴。光吸収スペクトル，ホール効果の測定より正孔の有効質量を得て正孔の輸送現象を論じた