研究者詳細 - 山内　淳

研究発表 - 山内　淳

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Electronic transport properties of strained Si thin films

山内淳

International Conference on the Physics of Semiconductors （Vienna(Austria)） ,

2006年07月

口頭発表（一般）, ICPS commitee

The effect of strain and layer thickness on the transport
properties of $<100>$, $<111>$, and $<110>$ confined Si thin films is systematically investigated using the density functional calculation.
The strain is uniformly applied to the plane perpendicular to the confined direction and the lattice along the direction is relaxed.
Anomalously heavy effective mass, which is more than
ten times of the strain-free bulk value, is found in the case of the $<111>$ confinement with relatively large strain.
Similar results are obtained for the $<110>$ case.
These heavy masses are attributed to the bulk property, where the two electron pockets, whose center is located about 0.84 $Gamma-X$ in the non-strained case, merge into one pocket under the relatively large strain.

歪Si薄膜における電子輸送特性に関する第一原理的研究

山内淳

日本物理学会　第６１回年次大会（愛媛大学、松山大学（松山市・愛媛県）） ,

2006年03月

ポスター発表, 日本物理学会

水素終端Ge薄膜の電子輸送特性に関する第一原理的研究

山内淳

日本物理学会　２００５年秋季大会（同志社大学京田辺キャンパス） ,

2005年09月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

Electronic Transport Properties of Thin Channel Regions from SOI through GOI: a First-Principles Study

山内淳

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures （淡路島夢舞台） ,

2005年05月

ポスター発表, ICSI-4 commitee

水素終端Si薄膜における電子輸送特性の第一原理的研究

山内淳

日本物理学会　第６０回年次大会（東京理科大野田キャンパス） ,

2005年03月

ポスター発表, 日本物理学会

Si薄膜の電子状態と輸送特性：固体からsub-nm厚膜まで

山内淳

日本物理学会　２００４年秋季大会（青森） ,

2004年09月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

SOI薄膜における輸送特性：第一原理的研究

山内淳

第６５回応用物理学会学術講演会（仙台） ,

2004年09月

口頭発表（一般）, 応用物理学会

Electronic transport properties of Si thin film from bulk to sub-nm thickness: a first-principles study

山内淳

International Conference on the Physics of Semiconductors （Flagstaff(Arizona, U.S.A.)） ,

2004年07月

ポスター発表, ICPS commitee

第一原理計算によるSi中のNのAs活性化への影響予測

山内淳、青木　伸俊

日本物理学会　第５９回年次大会（福岡） ,

2004年03月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

荷電状態格子欠陥系における第一原理計算の補正方法の比較

山内淳

日本物理学会　２００３年秋季大会（岡山大） ,

2003年09月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

第一原理計算によるSi結晶中のIn不活性化機構解析と制御

山内淳、青木　伸俊

日本物理学会　第５８回年次大会（東北大学、東北学院大学） ,

2003年03月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

Si結晶中のIn不活性化抑制方法の提案とその一般化

山内淳、青木　伸俊

第５０回応用物理学関係連合講演会（神奈川大学） ,

2003年03月

口頭発表（一般）, 応用物理学会

第一原理計算からのSi結晶中のIn不活性機構の提案

山内淳、青木　伸俊

第６３回応用物理学会学術講演会（新潟大学） ,

2002年09月

口頭発表（一般）, 応用物理学会

第一原理計算によるSi結晶中のIn原子挙動解析

山内淳、青木　伸俊

日本物理学会　２００２年秋季大会（中部大学） ,

2002年09月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

First-principles study on indium atoms in silicon

YAMAUCHI JUN, Aoki Nobutoshi

the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors （Edinburgh(England)） ,

2002年07月

ポスター発表, ICPS committee

First-principles study on resonant vibrational modes of defects in Si

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

the 25th International Confernece on the Physics of Semiconductors （OSAKA(JAPAN)） ,

2000年09月

ポスター発表, ICPS committee

第一原理計算によるSi結晶中のB2クラスターの振動モード解析

山内淳、青木　伸俊、水島　一郎

日本物理学会 1999年秋の分科会（岩手大学） ,

1999年09月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

Si中の不純物による共鳴振動モードの第一原理的研究

山内淳、青木　伸俊、水島　一郎

日本物理学会第５４回年次大会（広島大学） ,

1999年03月

口頭発表（一般）, 日本物理学会

Dynamical Properties of Impurity Clusters in Silicon

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors （Montpelier(France)） ,

1998年07月

口頭発表（一般）

単結晶シリコン中における高濃度ボロン

水島一郎、青木伸俊、山内淳

第7回格子欠陥フォーラム（豊中） ,

1997年10月

口頭発表（招待・特別）, 日本物理学会領域１０「格子欠陥・ナノ構造」分科

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