研究発表 - 山内　淳

Ge薄膜伝導帯下端構造の膜厚依存性：第一原理的研究

山内 淳

第69回応用物理学会春季学術講演会 （青山学院大学相模原キャンパス・オンライン（ハイブリッド開催）） , 

2022年03月

, 

口頭発表（一般）, 応用物理学会

Si結晶中As欠陥における内殻XPSシフトの第一原理的研究

山内　淳, 吉本芳英

日本物理学会　第76回年次大会 （オンライン開催） , 

2021年03月

, 

口頭発表（一般）, 一般社団法人日本物理学会

　概要を見る

Si結晶中のAs欠陥について第一原理計算を行った。スーパーセルの境界条件評価を注意深く行い、As 3d内殻準位のXPSシフトについて、1000原子モデルセルで0.1eVの精度が実現できることを確認した。その結果を用いて東工大筒井グループのSPring8での測定実験結果を解析し、イオン化したAs2Vクラスターが観測されている一つのピークの原因であるとの結果を得た。

超薄膜ゲルマニウムのバンド構造

前田辰郎、張文馨、入沢寿史、石井裕之、服部浩之、内田紀行、山内 淳

第６５回応用物理学会春季学術講演会 （早稲田大学　西早稲田キャンパス　東京） , 

2018年03月

, 

シンポジウム・ワークショップ パネル（公募）, 応用物理学会

First-principles XPS photoelectron spectroscopy analysis of arsenic and phosphorus defects in silicon crylstal

YAMAUCHI JUN

International Conference on Defects in Semiconductors （Matsue, Japan） , 

2017年07月

, 

ポスター発表, ICDS committee

Relaxation effect of the core-level X-ray photoelectron spectroscopy for the dopant defects in 3C-silicon carbide: a first-principles study

Naoki Matsushima and (/)-RYAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors （Beijing (China)） , 

2016年08月

, 

口頭発表（一般）, ICPS commitee

半導体格子欠陥不純物の内殻準位X線光電子分光における緩和効果の第一原理的研究

松島直輝、山内 淳

日本物理学会　第７０回年次大会 （早稲田大学早稲田キャンパス） , 

2015年03月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

Relaxation effect of X-ray photoelectron spectroscopy for defects in semiconductors: a first-principles study

YAMAUCHI JUN and Matsushima Naoki

International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design （The University of Tokyo Koshiba Hall (Tokyo, Japan)） , 

2014年12月

, 

ポスター発表, MEXT Grant-in-Aid Project FY2010-2014 "Material Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics"

シリコン結晶中ヒ素欠陥の第一原理X線光電子分光計算

山内 淳、岸 大季、宮澤美希

２０１４年応用物理学会秋季学術講演会 （北海道大学　札幌キャンパス） , 

2014年09月

, 

口頭発表（一般）, 応用物理学会

第一原理によるSiC中XPSスペクトルの元素依存性の研究

松島直輝、山内 淳

日本物理学会　２０１４年秋季大会 （中部大学春日井キャンパス） , 

2014年09月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

xTAPPによる格子欠陥系のXPS計算

山内 淳

xTAPP Developers Meeting 2014 （東京大学（本郷キャンパス）理学部4号館3階1320号室） , 

2014年08月

, 

口頭発表（招待・特別）, TAPPコンソーシアム、新学術領域「コンピューティクスによる物質デザイン：複合相関と非平衡ダイナミクス」 A02-5班

First principles study on X-ray Photoelectron Spectroscopy Binding Energies of Nitrogen in Silicon Carbide

Naoki Matsushima and (/)-RYAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors （Austin (U.S.A.)） , 

2014年08月

, 

口頭発表（一般）, ICPS commitee

SiC中N欠陥の第一原理XPS計算

松島直輝、山内 淳

日本物理学会　第６９回年次大会 （東海大学湘南キャンパス） , 

2014年03月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

SiC中不純物格子欠陥の第一原理XPS計算

松島直輝、山内 淳

日本物理学会　２０１３年秋季大会 （徳島大学常三島キャンパス） , 

2013年09月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

First-principles core-level XPS calculation on the defects in semiconductors

Kishi Hiroki,Miyazawa Miki, Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

International Conference on Defects in Semiconductors （Bologna, Italy） , 

2013年07月

, 

ポスター発表, ICDS committee

First principles XPS calculation for the B defects in SiC

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

the 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) （幕張メッセ国際会議場） , 

2013年07月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会、応用物理学会

化合物半導体中不純物の第一原理XPS計算

松島直輝、山内 淳

日本物理学会　第68回年次大会 （広島大学東広島キャンパス） , 

2013年03月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

格子欠陥用第一原理XPS計算擬ポテンシャルの元素依存性

宮澤美希、山内 淳

日本物理学会　第68回年次大会 （広島大学東広島キャンパス） , 

2013年03月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

第一原理XPS計算によるSi結晶中Asクラスターの構造予測

岸大季、山内 淳

日本物理学会　第68回年次大会 （広島大学東広島キャンパス） , 

2013年03月

, 

口頭発表（一般）, 日本物理学会

First-principles XPS study on defects: B clusters in Si

YAMAUCHI JUN,YOSHIMOTO YOSHIHIDE, and Suwa Yuji

International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design （Osaka University Hall (Osaka, Japan)） , 

2012年10月

, 

ポスター発表, MEXT Grant-in-Aid Project FY2010-2014 "Material Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics"

第一原理計算によるGe結晶中B欠陥XPSスペクトルの解析

山内 淳、吉本芳英、諏訪雄二

第７3回応用物理学会学術講演会 （愛媛大学、松山大学） , 

2012年09月

, 

口頭発表（一般）, 応用物理学会