研究発表 - 山内　淳

A first-principles core-level XPS study on the boron impurities in germanium crystal

YAMAUCHI JUN,YOSHIMOTO YOSHIHIDE, and Suwa Yuji

International Conference on the Physics of Semiconductors （Zurich(Switzerland)） , 

2012年08月

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ポスター発表, ICPS commitee

コア電子XPSによるSi結晶不純物クラスターの第一原理研究

山内 淳

日本物理学会　第67回年次大会 （関西学院大学） , 

2012年03月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

三次元実空間解析の意義：緒言

山内 淳

日本物理学会　２０１１年秋季大会 （富山大学五福キャンパス） , 

2011年09月

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口頭発表（招待・特別）, 日本物理学会

XPSによるSi中Bクラスターの同定：第一原理的研究

山内 淳、吉本芳英

第７２回応用物理学会学術講演会 （山形大学 小白川キャンパス（山形市）） , 

2011年09月

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口頭発表（一般）, 応用物理学会

第一原理XPS計算によるSi結晶の不純物B形態の同定

山内 淳

日本物理学会　第66回年次大会 （新潟大学） , 

2011年03月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

Si中不純物Bの第一原理XPSスペクトルにおけるモデルサイズ依存性

山内 淳

日本物理学会　２０１０年秋季大会 （大阪府立大学中百舌鳥キャンパス（大阪府堺市）） , 

2010年09月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

X-ray photoelectron spectroscopy for the boron impurities in silicon: a first-principles study

YAMAUCHI JUN,YOSHIMOTO YOSHIHIDE

International Conference on the Physics of Semiconductors （Seoul(Korea)） , 

2010年07月

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ポスター発表, ICPS commitee

Effective mass anomalies in strained silicon thin films

山内 淳

American Physical Society 2010 March Meeting （Portland(Oregon, United States of America)） , 

2010年03月

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口頭発表（一般）, American Physical Society

Si中の多面体Bクラスターの第一原理的研究

山内 淳

日本物理学会　２００９年秋季大会 （熊本大学黒髪キャンパス（熊本市・熊本県）） , 

2009年09月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

Siへの高濃度Bドーピング：理論からのアプローチ(シンポジウム：高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決)

山内 淳

日本物理学会 第６４回年次大会 （立教大学 (東京、池袋）） , 

2009年03月

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口頭発表（招待・特別）, 日本物理学会

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Si基板への高濃度Bドープ時に問題となるBクラスターについてのレヴュー講演。

第一原理k.p摂動法によるSi薄膜電子状態の膜厚依存性研究

山内 淳

日本物理学会　２００８年秋季大会 （岩手大学上田キャンパス（盛岡市・岩手県）） , 

2008年09月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

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半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。薄膜のバンド構造をバルクのバンド構造から予測するモデルを提案し、そのモデル計算に必要な高次エネルギー微分をk.p法を用いて評価した。

Si/SiO2界面における炭素欠陥の第一原理的研究

伊集院 明、山内 淳

日本物理学会　２００８年秋季大会 （岩手大学上田キャンパス（盛岡市・岩手県）） , 

2008年09月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

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半導体プロセスにおいて、絶縁膜としてのSiO2は重要であるが、CVDの前駆体に炭素（C）が含まれていることから、SiO2中に偏析し、固定電荷の原因になっているとの実験的な提案がなされている。これに対して第一原理的アプローチを行い、その原因がCを含むカルボニル欠陥であることを示した。

シリコンナノ構造における有効質量異常とその解析手法の考案

山内 淳

科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー-- 第四回成果報告会 （KKRホテル名古屋） , 

2008年08月

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ポスター発表, 科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー--

Qualitative prediction of the confinement effect in the effective mass using a density functional k.p perturbation calculation

山内 淳

International Conference on the Physics of Semiconductors （Rio de Janeiro(Brasil)） , 

2008年07月

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ポスター発表, ICPS commitee

歪Si板状チャネルにおける電子有効質量異常：第一原理的研究

山内 淳

第５５回応用物理学関係連合講演会 （日本大学船橋キャンパス） , 

2008年03月

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口頭発表（一般）, 応用物理学会

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半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。ナノ構造のもっとも基本的な形状としてSi薄膜に着目し、歪みと薄膜の厚さに関して有効質量を第一原理計算から調べたところ、特定の条件下で縦方向有効質量の発散を見いだした。この原因は、歪みによりX点での伝導体下端の電子状態が分裂する効果、ならびに閉じ込めによるものと解析できる。特に後者は有効質量近似を拡張した現象論的なモデルで定性的に説明できることを示した。

歪みSi薄膜における有効質量異常の物理的起源：第一原理的研究

山内 淳

日本物理学会　第６２回年次大会 （北海道大学札幌キャンパス（札幌市・北海道）） , 

2007年09月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

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半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。ナノ構造のもっとも基本的な形状としてSi薄膜に着目し、歪みと薄膜の厚さに関して有効質量を第一原理計算から調べたところ、特定の条件下で縦方向有効質量の発散を見いだした。この原因は、歪みによりX点での伝導体下端の電子状態が分裂する効果、ならびに閉じ込めによるものと解析できる。特に後者は有効質量近似を拡張した現象論的なモデルで定性的に説明できることを示した。

シンポジウム「探針型プローブ-表面間相互作用の新展開」はじめに

山内 淳

日本物理学会　第６２回年次大会 （北海道大学札幌キャンパス（札幌市・北海道）） , 

2007年09月

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口頭発表（招待・特別）, 日本物理学会

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シンポジウム企画趣旨説明。企画意図は以下の通り。
走査型プローブ顕微法の進展は目覚しく、様々な手法で原子レベルの像が得られるようになっている。本シンポジウムでは一歩進んで、単なる画像のコントラストに留まらず、プローブ信号の背景にある探針表面間の物理的相互作用に焦点をあて、進展著しい三つの分野(測定環境の進展、新しい測定物理量、測定制御精度向上)から講演者を選定した。

歪みSi薄膜における有効質量異常：第一原理的研究

山内 淳

日本物理学会　２００７年春季大会 （鹿児島大学郡元キャンパス（鹿児島市・鹿児島県）） , 

2007年03月

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口頭発表（一般）, 日本物理学会

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半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。ナノ構造のもっとも基本的な形状としてSi薄膜に着目し、結晶方位、歪みと薄膜の厚さに関して有効質量を第一原理計算から調べたところ、特定の条件下で縦方向有効質量の発散を見いだした。この発散はLandauの二次相転移理論と同様の取り扱いにより、厳密に導出することができることを示した。

歪みSGOI及びSOIにおける有効質量の発散とその物理的起源

山内 淳

科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー-- 第一回成果報告会 （東京工業大学） , 

2007年03月

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ポスター発表, 科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー--

Effective Mass Anomalies of Strained Silicon Thin Films and Crystals: a first-principles study

YAMAUCHI JUN

2006 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY （Kawasaki,Japan） , 

2006年11月

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ポスター発表

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Recently, Silicon On Insulator (SOI) technology has been widely used for devices such as CPUs. For further high performance in MOSFET, strained substrate has been attracting researchers' interest because of its high mobility due to the suppression of intervalley phonon scattering[1]. On the other hand, successive downsizing of Si devices requires thin Si substrate. The function of sub-nm-body MOSFETs has been demonstrated [2]. In particular, the importance of the (110)-oriented substrates has been pointed out [3]. However, there are few studies on intrinsic properties of Si film through the intermediate region from bulk to sub-nm-body using first-principles calculation.
　In the scientific and technological view points, it is interesting and important issue to clarify the effect of the strain and the confinement on the electronic transport properties of the Si region. I reported on the electronic structure of the strain-free SOI and germanium on insulators[4] and very recently on preliminary results of the effective mass enhancement of the strained bulk and the confined thin films[5]. In this work, I focus on the effective mass behavior of the <110> confined strained Si thin films in detail.