研究発表 - 能崎 幸雄
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磁性多層膜細線のマイクロマグネティックス
能崎幸雄、松山公秀
東北大学電気通信研究所スピニクス研究会 (東北大学) ,
1999年03月,口頭発表(招待・特別), 東北大学
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サブum幅磁性多層膜細線の磁気抵抗特性
松尾健一, 松山公秀, 能崎幸雄
第22回日本応用磁気学会学術講演会 (北海道大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 日本応用磁気学会
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磁性薄膜細線における磁化反転過程の解析
松山公秀, 中村冬樹, 能崎幸雄
第22回日本応用磁気学会学術講演会 (北海道大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 日本応用磁気学会
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ミクロンサイズ強磁性細線における180°対向磁壁の磁気構造
能崎幸雄, 松山公秀, 小野輝男, 宮島英紀
第22回日本応用磁気学会学術講演会 (北海道大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 日本応用磁気学会
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磁区を情報担体とするマルチビットMRAMメモリセルの検討
細川育宏, 松山公秀, 能崎幸雄, 浅田裕法
第22回日本応用磁気学会学術講演会 (北海道大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 日本応用磁気学会
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ミクロンサイズ強磁性細線における180°対向磁壁の磁気構造
能崎幸雄, 松山公秀, 小野輝男, 宮島英紀
電気関係学会九州支部第51回連合大会 (大分大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 電気学会、電子情報通信学会
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サブum幅磁性多層膜細線の磁気抵抗特性
松尾健一, 松山公秀, 能崎幸雄
電気関係学会九州支部第51回連合大会 (大分大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 電気学会、電子情報通信学会
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セルフアライメント構造MRAMメモリセルの検討
細川育宏, 松山公秀, 能崎幸雄, 浅田裕法
電気関係学会九州支部第51回連合大会 (大分大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 電気学会、電子情報通信学会
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磁性薄膜細線の磁化反転モード
松山公秀, 中村冬樹, 能崎幸雄
電気関係学会九州支部第51回連合大会 (大分大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 電気学会、電子情報通信学会
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(Co,Ni)/SnOx多層膜の磁気及び電気伝導特性
西畑勝則, 小松伸也, 松山公秀, 能崎幸雄
電気関係学会九州支部第51回連合大会 (大分大学) ,
1998年09月,口頭発表(一般), 電気学会、電子情報通信学会