Details of a Researcher - Yamauchi, Jun

Presentations -

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Electronic transport properties of strained Si thin films

YAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Vienna(Austria)) ,

2006.07

Oral presentation (general), ICPS commitee

The effect of strain and layer thickness on the transport
properties of $<100>$, $<111>$, and $<110>$ confined Si thin films is systematically investigated using the density functional calculation.
The strain is uniformly applied to the plane perpendicular to the confined direction and the lattice along the direction is relaxed.
Anomalously heavy effective mass, which is more than
ten times of the strain-free bulk value, is found in the case of the $<111>$ confinement with relatively large strain.
Similar results are obtained for the $<110>$ case.
These heavy masses are attributed to the bulk property, where the two electron pockets, whose center is located about 0.84 $Gamma-X$ in the non-strained case, merge into one pocket under the relatively large strain.

歪Si薄膜における電子輸送特性に関する第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６１回年次大会 (愛媛大学、松山大学（松山市・愛媛県）) ,

2006.03

Poster presentation, 日本物理学会

水素終端Ge薄膜の電子輸送特性に関する第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００５年秋季大会 (同志社大学京田辺キャンパス) ,

2005.09

Oral presentation (general), 日本物理学会

Electronic Transport Properties of Thin Channel Regions from SOI through GOI: a First-Principles Study

YAMAUCHI JUN

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (淡路島夢舞台) ,

2005.05

Poster presentation, ICSI-4 commitee

水素終端Si薄膜における電子輸送特性の第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６０回年次大会 (東京理科大野田キャンパス) ,

2005.03

Poster presentation, 日本物理学会

Si薄膜の電子状態と輸送特性：固体からsub-nm厚膜まで

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００４年秋季大会 (青森) ,

2004.09

Oral presentation (general), 日本物理学会

SOI薄膜における輸送特性：第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

第６５回応用物理学会学術講演会 (仙台) ,

2004.09

Oral presentation (general), 応用物理学会

Electronic transport properties of Si thin film from bulk to sub-nm thickness: a first-principles study

YAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Flagstaff(Arizona, U.S.A.)) ,

2004.07

Poster presentation, ICPS commitee

第一原理計算によるSi中のNのAs活性化への影響予測

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

日本物理学会　第５９回年次大会 (福岡) ,

2004.03

Oral presentation (general), 日本物理学会

荷電状態格子欠陥系における第一原理計算の補正方法の比較

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００３年秋季大会 (岡山大) ,

2003.09

Oral presentation (general), 日本物理学会

第一原理計算によるSi結晶中のIn不活性化機構解析と制御

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

日本物理学会　第５８回年次大会 (東北大学、東北学院大学) ,

2003.03

Oral presentation (general), 日本物理学会

Si結晶中のIn不活性化抑制方法の提案とその一般化

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

第５０回応用物理学関係連合講演会 (神奈川大学) ,

2003.03

Oral presentation (general), 応用物理学会

第一原理計算からのSi結晶中のIn不活性機構の提案

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

第６３回応用物理学会学術講演会 (新潟大学) ,

2002.09

Oral presentation (general), 応用物理学会

第一原理計算によるSi結晶中のIn原子挙動解析

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

日本物理学会　２００２年秋季大会 (中部大学) ,

2002.09

Oral presentation (general), 日本物理学会

First-principles study on indium atoms in silicon

YAMAUCHI JUN, Aoki Nobutoshi

the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (Edinburgh(England)) ,

2002.07

Poster presentation, ICPS committee

First-principles study on resonant vibrational modes of defects in Si

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

the 25th International Confernece on the Physics of Semiconductors (OSAKA(JAPAN)) ,

2000.09

Poster presentation, ICPS committee

第一原理計算によるSi結晶中のB2クラスターの振動モード解析

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

日本物理学会 1999年秋の分科会 (岩手大学) ,

1999.09

Oral presentation (general), 日本物理学会

Si中の不純物による共鳴振動モードの第一原理的研究

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

日本物理学会第５４回年次大会 (広島大学) ,

1999.03

Oral presentation (general), 日本物理学会

Dynamical Properties of Impurity Clusters in Silicon

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors (Montpelier(France)) ,

1998.07

Oral presentation (general)

単結晶シリコン中における高濃度ボロン

水島一郎、青木伸俊、山内淳

第7回格子欠陥フォーラム (豊中) ,

1997.10

Oral presentation (invited, special), 日本物理学会領域１０「格子欠陥・ナノ構造」分科

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