Presentations -

Ge薄膜伝導帯下端構造の膜厚依存性：第一原理的研究

山内 淳

第69回応用物理学会春季学術講演会 (青山学院大学相模原キャンパス・オンライン（ハイブリッド開催）) , 

2022.03

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

First-principles study on core-level XPS shift of As defects in Si crystal

Jun Yamauchi, Yoshihide Yoshimoto

日本物理学会　第76回年次大会 (オンライン開催) , 

2021.03

, 

Oral presentation (general), 一般社団法人日本物理学会

　View Summary

Si結晶中のAs欠陥について第一原理計算を行った。スーパーセルの境界条件評価を注意深く行い、As 3d内殻準位のXPSシフトについて、1000原子モデルセルで0.1eVの精度が実現できることを確認した。その結果を用いて東工大筒井グループのSPring8での測定実験結果を解析し、イオン化したAs2Vクラスターが観測されている一つのピークの原因であるとの結果を得た。

超薄膜ゲルマニウムのバンド構造

前田辰郎、張文馨、入沢寿史、石井裕之、服部浩之、内田紀行、山内 淳

第６５回応用物理学会春季学術講演会 (早稲田大学　西早稲田キャンパス　東京) , 

2018.03

, 

Symposium, workshop panel (public), 応用物理学会

First-principles XPS photoelectron spectroscopy analysis of arsenic and phosphorus defects in silicon crylstal

YAMAUCHI JUN

International Conference on Defects in Semiconductors (Matsue, Japan) , 

2017.07

, 

Poster presentation, ICDS committee

Relaxation effect of the core-level X-ray photoelectron spectroscopy for the dopant defects in 3C-silicon carbide: a first-principles study

Naoki Matsushima and (/)-RYAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Beijing (China)) , 

2016.08

, 

Oral presentation (general), ICPS commitee

半導体格子欠陥不純物の内殻準位X線光電子分光における緩和効果の第一原理的研究

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第７０回年次大会 (早稲田大学早稲田キャンパス) , 

2015.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Relaxation effect of X-ray photoelectron spectroscopy for defects in semiconductors: a first-principles study

YAMAUCHI JUN and Matsushima Naoki

International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design (The University of Tokyo Koshiba Hall (Tokyo, Japan)) , 

2014.12

, 

Poster presentation, MEXT Grant-in-Aid Project FY2010-2014 "Material Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics"

シリコン結晶中ヒ素欠陥の第一原理X線光電子分光計算

山内 淳、岸 大季、宮澤美希

２０１４年応用物理学会秋季学術講演会 (北海道大学　札幌キャンパス) , 

2014.09

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

第一原理によるSiC中XPSスペクトルの元素依存性の研究

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２０１４年秋季大会 (中部大学春日井キャンパス) , 

2014.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

xTAPPによる格子欠陥系のXPS計算

YAMAUCHI JUN

xTAPP Developers Meeting 2014 (東京大学（本郷キャンパス）理学部4号館3階1320号室) , 

2014.08

, 

Oral presentation (invited, special), TAPPコンソーシアム、新学術領域「コンピューティクスによる物質デザイン：複合相関と非平衡ダイナミクス」 A02-5班

First principles study on X-ray Photoelectron Spectroscopy Binding Energies of Nitrogen in Silicon Carbide

Naoki Matsushima and (/)-RYAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Austin (U.S.A.)) , 

2014.08

, 

Oral presentation (general), ICPS commitee

SiC中N欠陥の第一原理XPS計算

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６９回年次大会 (東海大学湘南キャンパス) , 

2014.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

SiC中不純物格子欠陥の第一原理XPS計算

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２０１３年秋季大会 (徳島大学常三島キャンパス) , 

2013.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

First-principles core-level XPS calculation on the defects in semiconductors

Kishi Hiroki,Miyazawa Miki, Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

International Conference on Defects in Semiconductors (Bologna, Italy) , 

2013.07

, 

Poster presentation, ICDS committee

First principles XPS calculation for the B defects in SiC

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

the 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) (幕張メッセ国際会議場) , 

2013.07

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会、応用物理学会

化合物半導体中不純物の第一原理XPS計算

Matsushima Naoki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第68回年次大会 (広島大学東広島キャンパス) , 

2013.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

格子欠陥用第一原理XPS計算擬ポテンシャルの元素依存性

Miyazawa Miki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第68回年次大会 (広島大学東広島キャンパス) , 

2013.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

第一原理XPS計算によるSi結晶中Asクラスターの構造予測

Kishi Hiroki,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第68回年次大会 (広島大学東広島キャンパス) , 

2013.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

First-principles XPS study on defects: B clusters in Si

YAMAUCHI JUN,YOSHIMOTO YOSHIHIDE, and Suwa Yuji

International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design (Osaka University Hall (Osaka, Japan)) , 

2012.10

, 

Poster presentation, MEXT Grant-in-Aid Project FY2010-2014 "Material Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics"

第一原理計算によるGe結晶中B欠陥XPSスペクトルの解析

YAMAUCHI JUN, YOSHIHIDE YOSHIMOTO, SUWA YUJI

第７3回応用物理学会学術講演会 (愛媛大学、松山大学) , 

2012.09

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

A first-principles core-level XPS study on the boron impurities in germanium crystal

YAMAUCHI JUN,YOSHIMOTO YOSHIHIDE, and Suwa Yuji

International Conference on the Physics of Semiconductors (Zurich(Switzerland)) , 

2012.08

, 

Poster presentation, ICPS commitee

コア電子XPSによるSi結晶不純物クラスターの第一原理研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第67回年次大会 (関西学院大学) , 

2012.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

三次元実空間解析の意義：緒言

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２０１１年秋季大会 (富山大学五福キャンパス) , 

2011.09

, 

Oral presentation (invited, special), 日本物理学会

XPSによるSi中Bクラスターの同定：第一原理的研究

YAMAUCHI JUN, YOSHIHIDE YOSHIMOTO

第７２回応用物理学会学術講演会 (山形大学 小白川キャンパス（山形市）) , 

2011.09

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

第一原理XPS計算によるSi結晶の不純物B形態の同定

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第66回年次大会 (新潟大学) , 

2011.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Si中不純物Bの第一原理XPSスペクトルにおけるモデルサイズ依存性

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２０１０年秋季大会 (大阪府立大学中百舌鳥キャンパス（大阪府堺市）) , 

2010.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

X-ray photoelectron spectroscopy for the boron impurities in silicon: a first-principles study

YAMAUCHI JUN,YOSHIMOTO YOSHIHIDE

International Conference on the Physics of Semiconductors (Seoul(Korea)) , 

2010.07

, 

Poster presentation, ICPS commitee

Effective mass anomalies in strained silicon thin films

YAMAUCHI JUN

American Physical Society 2010 March Meeting (Portland(Oregon, United States of America)) , 

2010.03

, 

Oral presentation (general), American Physical Society

Si中の多面体Bクラスターの第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００９年秋季大会 (熊本大学黒髪キャンパス（熊本市・熊本県）) , 

2009.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Siへの高濃度Bドーピング：理論からのアプローチ(シンポジウム：高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決)

YAMAUCHI JUN

日本物理学会 第６４回年次大会 (立教大学 (東京、池袋）) , 

2009.03

, 

Oral presentation (invited, special), 日本物理学会

　View Summary

Si基板への高濃度Bドープ時に問題となるBクラスターについてのレヴュー講演。

第一原理k.p摂動法によるSi薄膜電子状態の膜厚依存性研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００８年秋季大会 (岩手大学上田キャンパス（盛岡市・岩手県）) , 

2008.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

　View Summary

半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。薄膜のバンド構造をバルクのバンド構造から予測するモデルを提案し、そのモデル計算に必要な高次エネルギー微分をk.p法を用いて評価した。

Si/SiO2界面における炭素欠陥の第一原理的研究

IJUIN AKIRA,YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００８年秋季大会 (岩手大学上田キャンパス（盛岡市・岩手県）) , 

2008.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

　View Summary

半導体プロセスにおいて、絶縁膜としてのSiO2は重要であるが、CVDの前駆体に炭素（C）が含まれていることから、SiO2中に偏析し、固定電荷の原因になっているとの実験的な提案がなされている。これに対して第一原理的アプローチを行い、その原因がCを含むカルボニル欠陥であることを示した。

シリコンナノ構造における有効質量異常とその解析手法の考案

YAMAUCHI JUN

科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー-- 第四回成果報告会 (KKRホテル名古屋) , 

2008.08

, 

Poster presentation, 科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー--

Qualitative prediction of the confinement effect in the effective mass using a density functional k.p perturbation calculation

YAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Rio de Janeiro(Brasil)) , 

2008.07

, 

Poster presentation, ICPS commitee

歪Si板状チャネルにおける電子有効質量異常：第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

第５５回応用物理学関係連合講演会 (日本大学船橋キャンパス) , 

2008.03

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

　View Summary

半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。ナノ構造のもっとも基本的な形状としてSi薄膜に着目し、歪みと薄膜の厚さに関して有効質量を第一原理計算から調べたところ、特定の条件下で縦方向有効質量の発散を見いだした。この原因は、歪みによりX点での伝導体下端の電子状態が分裂する効果、ならびに閉じ込めによるものと解析できる。特に後者は有効質量近似を拡張した現象論的なモデルで定性的に説明できることを示した。

歪みSi薄膜における有効質量異常の物理的起源：第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６２回年次大会 (北海道大学札幌キャンパス（札幌市・北海道）) , 

2007.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

　View Summary

半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。ナノ構造のもっとも基本的な形状としてSi薄膜に着目し、歪みと薄膜の厚さに関して有効質量を第一原理計算から調べたところ、特定の条件下で縦方向有効質量の発散を見いだした。この原因は、歪みによりX点での伝導体下端の電子状態が分裂する効果、ならびに閉じ込めによるものと解析できる。特に後者は有効質量近似を拡張した現象論的なモデルで定性的に説明できることを示した。

シンポジウム「探針型プローブ-表面間相互作用の新展開」はじめに

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６２回年次大会 (北海道大学札幌キャンパス（札幌市・北海道）) , 

2007.09

, 

Oral presentation (invited, special), 日本物理学会

　View Summary

シンポジウム企画趣旨説明。企画意図は以下の通り。
走査型プローブ顕微法の進展は目覚しく、様々な手法で原子レベルの像が得られるようになっている。本シンポジウムでは一歩進んで、単なる画像のコントラストに留まらず、プローブ信号の背景にある探針表面間の物理的相互作用に焦点をあて、進展著しい三つの分野(測定環境の進展、新しい測定物理量、測定制御精度向上)から講演者を選定した。

歪みSi薄膜における有効質量異常：第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００７年春季大会 (鹿児島大学郡元キャンパス（鹿児島市・鹿児島県）) , 

2007.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

　View Summary

半導体デバイスを代表としたナノ構造の輸送特性、特に有効質量に燗する研究を行っている。ナノ構造のもっとも基本的な形状としてSi薄膜に着目し、結晶方位、歪みと薄膜の厚さに関して有効質量を第一原理計算から調べたところ、特定の条件下で縦方向有効質量の発散を見いだした。この発散はLandauの二次相転移理論と同様の取り扱いにより、厳密に導出することができることを示した。

歪みSGOI及びSOIにおける有効質量の発散とその物理的起源

YAMAUCHI JUN

科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー-- 第一回成果報告会 (東京工業大学) , 

2007.03

, 

Poster presentation, 科学研究費補助金　特定領域研究　シリコンナノエレクトロニクスの新展開　--ポストスケーリングテクノロジー--

Effective Mass Anomalies of Strained Silicon Thin Films and Crystals: a first-principles study

YAMAUCHI JUN

2006 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (Kawasaki,Japan) , 

2006.11

, 

Poster presentation

　View Summary

Recently, Silicon On Insulator (SOI) technology has been widely used for devices such as CPUs. For further high performance in MOSFET, strained substrate has been attracting researchers' interest because of its high mobility due to the suppression of intervalley phonon scattering[1]. On the other hand, successive downsizing of Si devices requires thin Si substrate. The function of sub-nm-body MOSFETs has been demonstrated [2]. In particular, the importance of the (110)-oriented substrates has been pointed out [3]. However, there are few studies on intrinsic properties of Si film through the intermediate region from bulk to sub-nm-body using first-principles calculation.
　In the scientific and technological view points, it is interesting and important issue to clarify the effect of the strain and the confinement on the electronic transport properties of the Si region. I reported on the electronic structure of the strain-free SOI and germanium on insulators[4] and very recently on preliminary results of the effective mass enhancement of the strained bulk and the confined thin films[5]. In this work, I focus on the effective mass behavior of the <110> confined strained Si thin films in detail.

Electronic transport properties of strained Si thin films

YAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Vienna(Austria)) , 

2006.07

, 

Oral presentation (general), ICPS commitee

　View Summary

The effect of strain and layer thickness on the transport
properties of $<100>$, $<111>$, and $<110>$ confined Si thin films is systematically investigated using the density functional calculation.
The strain is uniformly applied to the plane perpendicular to the confined direction and the lattice along the direction is relaxed.
Anomalously heavy effective mass, which is more than
ten times of the strain-free bulk value, is found in the case of the $<111>$ confinement with relatively large strain.
Similar results are obtained for the $<110>$ case.
These heavy masses are attributed to the bulk property, where the two electron pockets, whose center is located about 0.84 $Gamma-X$ in the non-strained case, merge into one pocket under the relatively large strain.

歪Si薄膜における電子輸送特性に関する第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６１回年次大会 (愛媛大学、松山大学（松山市・愛媛県）) , 

2006.03

, 

Poster presentation, 日本物理学会

水素終端Ge薄膜の電子輸送特性に関する第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００５年秋季大会 (同志社大学京田辺キャンパス) , 

2005.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Electronic Transport Properties of Thin Channel Regions from SOI through GOI: a First-Principles Study

YAMAUCHI JUN

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (淡路島夢舞台) , 

2005.05

, 

Poster presentation, ICSI-4 commitee

水素終端Si薄膜における電子輸送特性の第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　第６０回年次大会 (東京理科大野田キャンパス) , 

2005.03

, 

Poster presentation, 日本物理学会

Si薄膜の電子状態と輸送特性：固体からsub-nm厚膜まで

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００４年秋季大会 (青森) , 

2004.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

SOI薄膜における輸送特性：第一原理的研究

YAMAUCHI JUN

第６５回応用物理学会学術講演会 (仙台) , 

2004.09

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

Electronic transport properties of Si thin film from bulk to sub-nm thickness: a first-principles study

YAMAUCHI JUN

International Conference on the Physics of Semiconductors (Flagstaff(Arizona, U.S.A.)) , 

2004.07

, 

Poster presentation, ICPS commitee

第一原理計算によるSi中のNのAs活性化への影響予測

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

日本物理学会　第５９回年次大会 (福岡) , 

2004.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

荷電状態格子欠陥系における第一原理計算の補正方法の比較

YAMAUCHI JUN

日本物理学会　２００３年秋季大会 (岡山大) , 

2003.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

第一原理計算によるSi結晶中のIn不活性化機構解析と制御

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

日本物理学会　第５８回年次大会 (東北大学、東北学院大学) , 

2003.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Si結晶中のIn不活性化抑制方法の提案とその一般化

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

第５０回応用物理学関係連合講演会 (神奈川大学) , 

2003.03

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

第一原理計算からのSi結晶中のIn不活性機構の提案

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

第６３回応用物理学会学術講演会 (新潟大学) , 

2002.09

, 

Oral presentation (general), 応用物理学会

第一原理計算によるSi結晶中のIn原子挙動解析

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

日本物理学会　２００２年秋季大会 (中部大学) , 

2002.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

First-principles study on indium atoms in silicon

YAMAUCHI JUN, Aoki Nobutoshi

the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors (Edinburgh(England)) , 

2002.07

, 

Poster presentation, ICPS committee

First-principles study on resonant vibrational modes of defects in Si

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI

the 25th International Confernece on the Physics of Semiconductors (OSAKA(JAPAN)) , 

2000.09

, 

Poster presentation, ICPS committee

第一原理計算によるSi結晶中のB2クラスターの振動モード解析

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

日本物理学会 1999年秋の分科会 (岩手大学) , 

1999.09

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Si中の不純物による共鳴振動モードの第一原理的研究

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

日本物理学会 第５４回年次大会 (広島大学) , 

1999.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

Dynamical Properties of Impurity Clusters in Silicon

YAMAUCHI JUN, AOKI NOBUTOSHI, MIZUSHIMA ICHIRO

International Conference on Shallow-level Centers in Semiconductors (Montpelier(France)) , 

1998.07

, 

Oral presentation (general)

単結晶シリコン中における高濃度ボロン

水島一郎、青木伸俊、山内 淳

第7回格子欠陥フォーラム (豊中) , 

1997.10

, 

Oral presentation (invited, special), 日本物理学会領域１０「格子欠陥・ナノ構造」分科

　View Summary

Si基板への高濃度Bドープ時に問題となる高濃度Bについてのレヴュー講演。

第一原理計算によるSi中のBクラスターのRaman及びIRスペクトルの研究

山内 淳、青木　伸俊、水島　一郎

日本物理学会　１９９７年秋の分科会 (神戸大学) , 

1997.10

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

第一原理計算によるSi中のB$_{12}$クラスターの研究III

山内 淳、青木　伸俊、水島　一郎

日本物理学会　第５２回年次大会 (名城大学) , 

1997.03

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

第一原理計算によるSi中のB$_{12}$クラスターの研究II

山内 淳、青木　伸俊、水島　一郎

日本物理学会　1996年秋の分科会 (山口大学吉田キャンパス) , 

1996.10

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

First-principles study on B12 icosahedral clusters in silicon

Nobutoshi Aoki, Jun Yamauchi, Ichiro Mizushima

the 23rd International Confernece on the Physics of Semiconductors (Berlin(Germany)) , 

1996.07

, 

Poster presentation, ICPS committee

第一原理計算によるSi中のB$_{12}$クラスターの研究

山内 淳、青木　伸俊、水島　一郎

日本物理学会　第５１回年次大会 (金沢大学角間キャンパス、工学部) , 

1996.04

, 

Oral presentation (general), 日本物理学会

First-principles study on c-BN(001) reconstructed surfaces

Jun YAMAUCHI, Masaru Tsukada

International Conference on the Physics of Semiconductors (Vancouver(Canada)) , 

1994.08

, 

Oral presentation (general), ICPS commitee