Papers - Eto, Mikio

Positive Magnetoconductance of Hopping Conduction due to Correlation Effect

M. Eto

Physica B Vol.194-196   1113-1114 1994

Single Work

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アンダーソン強局在領域において、相関効果の波動関数への影響を計算した。それを基に、ホッピング伝導における磁気伝導度が正になりうることを提案した。

First Principles Cluster Calculation of X-ray Absorption Spectra of La2CuO4

M. Eto

Physica B Vol. 194-196   1565-1566 1994

Single Work

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La2CuO4系のX線吸収スペクトルを、第一原理クラスター法によって計算した。局所密度近似を用い、transition stateを評価することで、実験結果と定量的に一致する結果を得た。

Studies of Many-Body Effect on Resonant Tunneling by Green Function Method

F. Yamaguchi, M. Eto and K. Kawamura

Journal of the Physical Society of Japan Vol. 63   209-222 1994

Joint Work

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グリーン関数を用いて共鳴トンネルにおける多体効果を調べた。一般的な計算アルゴリズムを提案し、平均場近似によって電子間相互作用を扱う場合に応用した。

Phase Shifts, the Friedel Sum Rule, Resonant Tunneling through Asymmetric Potentials

T. Mizuno, M. Eto and K. Kawamura

Journal of the Physical Society of Japan Vol. 63   2658-2667 1994

Joint Work

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非対称な二重ポテンシャルにおける共鳴トンネル現象を議論した。対称な系の場合に良く知られている「位相シフト」の概念を拡張し、それに対してFriedel和則を求めた。

Conductivity of an Interacting Two-Channel Tomonaga-Luttinger Model

T. Kimura, K. Kuroki, H. Aoki and M. Eto

Physical Review B Vol. 49   R16852-R16855 1994

Joint Work

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２チャンネルの朝永ラッティンジャーモデルの電気伝導率を計算した。チャンネル間の相互作用によって、電気伝導が増加する可能性を示した。

Correlation Effect on Hopping Conduction in a Magnetic Field

M. Eto

Physical Review B Vol.48   R4933-R4936 1993

Single Work

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磁場中のホッピング伝導における相関効果を調べた。磁場とともに電気伝導度が増える新しい機構を提案し、実験結果の半定量的な説明を行った。

How Have We Understood High Tc Cuprates?

H. Kamimura, M. Eto, S. Matsuno and H. Ushio

Comments on Condensed Matter Physics Vol.15   303-325 1992

Joint Work

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銅酸化物超伝導体の電子状態計算を基に、スピン状態、超伝導状態を議論した。ドープ量の関数として、磁化、超伝導転移温度等の物理量の振舞いを計算し、実験結果の定量的な説明を試みた。

First Principles Cluster Investigation of the Electronic Structures of Copper Oxide Superconductors

M. Eto and H. Kamimura

'Superconducting Ceramics,' eds. J. L. Heiras, L. E. Sansores and A. A. Valladares (World Scientific)    141-164 1991

Joint Work

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銅酸化物超伝導体の電子状態を、第一原理クラスター法を用いて研究した。計算結果を基に、超伝導の新しい機構の可能性を議論した。

First Principles Investigation of the Electronic Structures of Copper Oxide Superconductors by the MCSCF Cluster Method

M. Eto and H. Kamimura

Journal of the Physical Society of Japan Vol.60   2311-2323 1991

Joint Work

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銅酸化物高温超伝導体の電子状態を「多配置自己無同着法」を用いた第一原理計算によって調べた。ホール・ドープ系と電子ドープ系を比較し、ドープ量に対する相図をそれぞれに対して提案した。

Low Spin to High Spin Transition at the Onset of Superconductivity in La-Sr-Cu-O and High Spin State in Nd-Ce-Cu-O Compound

M. Eto and H. Kamimura

Physica C Vol.185-189   1599-1560 1991

Joint Work

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高温超伝導体であるLa-Sr-Cu-OおよびNd-Ce-Cu-O系のスピン状態を研究した。クラスター法により、前者で低スピン・高スピンの転移が生じること、後者では高スピン状態が出現し続けることを結論づけた。

1A1g to 3B1g Conversion at the Onset of Superconductivity in La(2-x)Sr(x)CuO4 Due to the Apical Oxygen Effect

H. Kamimura and M. Eto

Journal of the Physical Society of Japan Vol.59   3053-3056 1990

Joint Work

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高温超伝導体であるLa-Sr-Cu-O系の転移点において、頂点酸素の果たす役割に注目し、電子状態の対称性の転移を伴う可能性を示した。

Simulation Studies of Electronic States in Compensated Si:P System

M. Eto and H. Kamimura

'Hopping and Related Phenomena,' eds. H. Fritzsche and M. Pollak    111-119 1990

Joint Work

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補償されたSi:P系のアンダーソン局在状態を調べた。電子状態を数値シミュレーションで解明し、非補償系との違いとその電子比熱、スピン帯磁率への影響を解明した。

Electronic Structures of Nd2CuO4 and its Electron-Doped Cluster Systems

M. Eto, R. Saito and H. Kamimura,

Materials Science and Engineering B Vol.6   L1-L4 1990

Joint Work

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電子ドープの高温超伝導体であるNd2CuO4の電子状態を研究した。クラスター法を応用して相関効果を取り入れ、スピンの反強磁性結合と電子ドープ後の電子状態を議論した。

Cluster Simulation of Correlation Effect in Hole-Doped High-Temperature Superconductor

M. Eto, R. Saito and H. Kamimura

Solid State Communications Vol.71   425-429 1989

Joint Work

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ホール・ドープの高温超伝導体における相関効果をクラスター・シミュレーションを行って調べた。反強磁性結合の大きさを見積もり、その電子状態への影響を明らかにした。

Studies of the Correlation Effect on the Anderson-Localized States in Si:P by the MCSCF method (I): Uncompensated Case

M. Eto and H. Kamimura

Journal of the Physical Society of Japan Vol.58   2826-2835 1989

Joint Work

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Si:Pの非補償系でのアンダーソン局在状態において相関効果を研究した。「多配置自己無同着法」によって電子状態の解明をし、電子比熱、スピン帯磁率の実験結果の説明を行った。

Simulation Studies on Metal-Insulator Transition in Si:P

M. Eto, O. Sugino and H. Kamimura

Proceedings of the 19th International Conference on the Physics of Semiconductors    1213-1216 1988.08

Research paper (conference, symposium, etc.), Joint Work

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Si:Pにおける金属絶縁体転移に対し、数値シミュレーションによる研究を行った。絶縁体側から転移点に近づくにつれて電子相関が遮蔽効果で弱まることを示し、それが電子比熱に反映することを明らかにした。

New Theoretical Method for Strongly Correlated Random Systems and Application to Anderson-Localized States in Si:P

M. Eto and H. Kamimura

Physical Review Letters Vol. 61   2790-2793 1988

Joint Work

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強相関ランダム系を扱う新しい計算方法として「多配置自己無同着法」を提案し、Si:P中のアンダーソン局在状態に応用した。電子が2つずつペアを組む相関が重要であることを、第一原理計算で初めて示した。