的場 正憲 (マトバ マサノリ)

Matoba, Masanori

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所属(所属キャンパス)

理工学部 物理情報工学科 (矢上)

職名

教授

外部リンク

経歴 【 表示 / 非表示

  • 1990年04月
    -
    1995年03月

    慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 助手

  • 1994年10月
    -
    1995年03月

    通産省 工業技術院 電子技術総合研究所 電子基礎部 電子物性研究室, 招聘研究員

  • 1995年04月
    -
    1997年03月

    慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 専任講師

  • 1996年04月
    -
    1997年03月

    グローニンゲン大学(オランダ)物質科学センター, 博士研究員

  • 1997年04月
    -
    1998年03月

    慶應義塾大学理工学部 物理情報工学科, 専任講師

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学歴 【 表示 / 非表示

  • 1985年03月

    慶應義塾大学, 理工学部, 応用化学科

    大学, 卒業

  • 1987年03月

    慶應義塾大学, 理工学研究科, 応用化学専攻

    大学院, 修了, 修士

  • 1990年03月

    慶應義塾大学, 理工学研究科, 応用化学専攻

    大学院, 単位取得退学, 博士

学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学), 慶應義塾大学, 論文, 1994年06月

 

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 自然科学一般 / 磁性、超伝導、強相関系 (固体物性)

  • 強相関電子物理

  • 探索的材料物性

  • 物質設計

 

著書 【 表示 / 非表示

  • 科学技術未来戦略ワークショップ報告書「トラスト研究戦略 ~デジタル社会における新たなトラスト形成~」

    福島 俊一, 加納 寛之, 上村 健, 住田 朋久, 高島 洋典, 戸田 智美, 花田 文子, 福井 章人, 的場 正憲, 茂木 強, 山本 里枝子, 若山 正人, 木村 康則, 2022年09月

  • 戦略プロポーザル「無線・光融合基盤技術の研究開発 ~次世代通信技術の高度化に向けて~」

    馬場 寿夫, 岩本 敏, 佐藤 勝昭, 林 喜宏, 赤木 浩, 高島 洋典, 的場 正憲, 福井 章人, 井上 眞梨, 竹内 良昭, 池田 健, 勝又 康弘, 新井 正伸, 大窪 宏明, 曽根 純一, 2022年03月

  • 科学技術未来戦略ワークショップ報告書「次世代通信技術の高度化に向けた無線・光融合基盤技術」

    馬場 寿夫, 岩本 敏, 佐藤 勝昭, 林 喜宏, 赤木 浩, 高島 洋典, 的場 正憲, 福井 章人, 竹内 良昭, 池田 健, 勝又 康弘, 新井 正伸, 大窪 宏明, 曽根 純一, 2022年02月

  • 俯瞰ワークショップ報告書「俯瞰セミナー&ワークショップ報告書:トラスト研究の潮流 ~人文・社会科学から人工知能、医療まで~」

    福島 俊一, 井上 眞梨, 加納 寛之, 上村 健, 住田 朋久, 高島 洋典, 戸田 智美, 花田 文子, 福井 章人, 的場 正憲, 宮薗 侑也, 茂木 強, 山本 里枝子, 若山 正人, 木村 康則, 2022年02月

  • 戦略プロポーザル「材料創製技術を革新するプロセス科学基盤 ~プロセス・インフォマティクス~」

    福井 弘行, 伊藤 聡, 酒部 健一, 佐藤 勝昭, 竹内 良昭, 沼澤 修平, 的場 正憲, 眞子 隆志, 水本 邦彦, 宮下 哲, 曽根 純一, 2021年06月

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論文 【 表示 / 非表示

  • Thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2

    Ryosuke Sakagami, Y. Goto, H. Karimata, N. Azuma, M. Yamaguchi, S. Iwasaki, M. Nakanishi, I. Kitawaki, Y. Mizuguchi, M. Matoba, Y. Kamihara

    Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 3 )  2021年03月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

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    The thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2, have been investigated. A densified polycrystalline sample of EuSn2As2 with porosity (φ) of 2.4(9) vol.% exhibited a weak orientation to the c-axis for hexagonal coordination system; the weak orientation is parallel (P ∥) to the pressing direction of hot pressing. Measurements of electrical resistivity (ρ), Seebeck coefficient (S), and thermal conductivity (κ) were conducted perpendicular (P ⊥) to the pressing direction. The experimental values of ρ and S exhibit metallic temperature dependence and p-type carrier polarity. The power factor (P) was 0.51(8) mW m-1 K-2 at 673(4) K. Using the Wiedemann-Franz-Lorenz law, the phonon thermal conductivity (κ ph) was estimated to be 0.4(6) W m-1 K-1 at 673(6) K. The dimensionless figure of merit, ZT, was 0.092(17) at 673(3) K.

  • Proposal of disruptive computing (A computing-domain-oriented approach)

    T. Baba, Y. Shimada, S. Kawamura, M. Matoba, T. Fukushima, S. Fujii, T. Nagano, Y. Katsumata, N. Kochi, Y. Kimura

    Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 5 ) 050503-1 - 050503-13 2020年05月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

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    The advanced data processing on the edge devices is getting much attention in addition to the performance of cloud computing for big data analysis and artificial intelligence for the advanced cyber-physical systems and Internet of Things. This paper shows the challenges of research and development on disruptive computing which enhance the conventional computing system with high performance and low power consumption. Future R&D challenges in computing technologies involve all technology layers including algorithms, packaging, software, architecture, circuits, devices, and materials. It is important from the perspective of social implementation and efficiency to select technologies suitable for important applications from each technology layer specific to the computing domain and with consideration for the timeline, and to develop technologies through a vertical integration approach. The promoting method of implementing such R&D is also described.

  • 混合アニオン層状化物Sr2CrFeAsO3-δの電子磁気相図

    山口 道太郎, 藤岡 弘孝, 大塚 貴史, 瀬戸 誠, 北尾 真司, 的場 正憲,神原 陽一

    日本磁気学会論文特集号 (日本磁気学会)  3   28 - 33 2019年05月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り

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    混合アニオン層状化合物Sr2CrFeAsO3-deltaの電子磁気状態相図を明らかにした。試料は主相以外に異相を含むため、分析化学的に格子体積と酸素欠損量の線形関係を仮定し、試料の化学組成を求めた。Sr2CrFeAsO3-deltaに含まれるFeは、酸素欠損量におうじて、”ストライプ型反強磁性相”と”内部磁場に分布の存在する反強磁性相”のいずれかを示す。

  • Superconducting properties of a mixed anion layered compound, Ca and F co-doped LaFeAsO with Tc = 31.5 K

    Kodai Kaneyasu, Ryosuke Sakagami, Masanori Matoba, Yoichi Kamihara

    Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)  58 ( 3 ) 030911.1 - 030911.5 2019年03月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

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    Polycrystalline Ca and F co-doped LaFeAsO samples (La1-xCaxFeAsO1-yFy) were synthesized by solid-state reactions. Samples with nominal composition: (y - x) ≤ 0.05 did not show superconductivity at temperatures T > 4.2 K, although an anomalous kink of the ρ-T curves, which is related to crystallographic phase transitions, was observed at T ∼ 150 K. Samples with nominal composition: (y - x) ≥ 0.15 did exhibit superconductivity. The superconducting transition temperature (T c) of co-doped LaFeAsO with nominal composition: (x, y) = (0.25, 0.50) was determined to be T c = 31.5 K, which is higher than the highest T c value observed for LaFeAsO1-xFx materials synthesized under ambient pressure.

  • Superconducting transition temperatures in the electronic and magnetic phase diagrams of Sr2VFeAsO3-δ, a superconductor

    Yujiro Tojo, Taizo Shibuya, Tetsuro Nakamura, Koichiro Shoji, Hirotaka Fujioka, Masanori Matoba, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh, Soshi Iimura, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Shigeto Hirai, Wendy Mao, Shinji Kitao, Makoto Seto, and Yoichi Kamihara

    Journal of Physics: Condensed Matter 31   115801 (14 pages) 2019年01月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り

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    We elucidate the magnetic phases and superconducting (SC) transition temperatures (Tc) in Sr2VFeAsO3−δ(21113V), an iron-based superconductor with a thick-blocking layer fabricated
    from a perovskite-related transition metal oxide. At low temperatures (T<37.1 K), 21113V exhibited a SC phase in the range 0.031⩽δ⩽0.145 and an antiferromagnetic (AFM) iron
    sublattice in the range 0.267⩽δ⩽0.664. Mixed-valent vanadium exhibited a dominant AFM phase in 0.031⩽δ⩽0.088, and a partial ferrimagnetic (Ferri.) phase in the range 0.124⩽δ⩽0.664. The Ferri. phase was the most dominant at a δ value of 0.267, showing an AFM phase of Fe at T<20 K. Increasing the spontaneous magnetic moments reduced the magnetic shielding volume fraction due to the SC phase. This result was attributed to the magnetic phase of vanadium, which dominates the superconductivity of Fe in 21113V. The
    Tc–δ curve showed two maxima. The smaller and larger of Tc maxima occurred at δ=0.073 and δ=0.145, respectively; the latter resides on the phase boundary between AFM and the
    partial Ferri. phases of vanadium. 21113V is a useful platform for verifing new mechanisms of Tc enhancement in iron-based superconductors.

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KOARA(リポジトリ)収録論文等 【 表示 / 非表示

研究発表 【 表示 / 非表示

  • EuSn2P2のメスバウワ分光測定結果

    志村岳栄,劉子豪,的場正憲,神原陽一,北尾真司,瀬戸誠

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022年05月

    口頭発表(一般), 日本材料科学会

  • Bi2Sr2CaCu2O8+xのゾルゲル法による合成と酸素発生反応触媒能評価

    宮本隼太,松村崇大,的場正憲,神原陽一

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022年05月

    口頭発表(一般), 日本材料科学会

  • SnPn層状化合物EuSn2P2の多結晶合成と熱電輸送特性の研究

    劉子豪,志村岳栄,的場正憲,神原陽一

    2021年度日本材料科学会 学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022年05月

    口頭発表(一般)

  • SmFeAsO0.77H0.14の臨界電流密度の間接測定

    堀地竜成,川松拓也,神原陽一,的場正憲

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022年05月

    口頭発表(一般), 日本材料科学会

  • 異なる条件下で焼成した YBa2Cu3O7-δの合成と酸素発生反応の触媒能の評価

    倉持令,貝塚泰介,的場正憲,神原陽一

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022年05月

    口頭発表(一般), 日本材料科学会

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競争的研究費の研究課題 【 表示 / 非表示

  • 二次元近藤格子系の量子臨界状態と電子構造

    2014年04月
    -
    2017年03月

    文部科学省・日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 的場 正憲, 基盤研究(C), 補助金,  研究代表者

     研究概要を見る

    磁気秩序が抑制された近藤格子系層状オキシプニクタイドCeFePOの磁性に対するCr置換効果を探求し、Cr5%とCr45%の近傍組成で2つの強磁性量子臨界点を確認した。CeFePOの電子比熱の増大から近藤温度12 K 以下において、Kondo一重項の存在が確認された。一方、Cr20%では、6 K以下で強磁性転移の出現と電子熱容量の著しい減少が観測され、Kondoブレイクダウンが起きている。また、磁場印加により磁気相転移点の増大が確認され、強磁性相における強磁性揺らぎの存在が示唆される。また、Cr50%では、25K付近において、Feの磁気状態がスピン密度波状態に相転移していることが予想される。

Works 【 表示 / 非表示

  • 大学と地域との連携を考える

    的場 正憲

    2010年03月

    その他, 単独

知的財産権等 【 表示 / 非表示

  • 混合アニオン化合物鉄系超電導導体とその製造方法

    出願日: 2016-191311  2016年09月 

    公開日: 2018-055975  2018年04月 

    特許権, 共同

  • 層状ビスマスカルコゲナイド系熱電変換材料及びその製造方法

    出願日: 2015-168193  2015年08月 

    公開日: 2016-058725 (P2016-58725A)  2016年04月 

    特許権, 共同

受賞 【 表示 / 非表示

  • 日本材料科学会 功労賞

    的場 正憲, 2013年06月

  • 熱電変換シンポジウム2000(TEC2000)研究優秀賞

    岡部 博孝,的場 正憲, 2000年07月, 熱電変換研究会(現日本熱電変換学会), 擬1次元強相関電子材料の熱電特性

    受賞区分: 国内学会・会議・シンポジウム等の賞

その他 【 表示 / 非表示

  • 2012年05月

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    フローニンヘンの戦略的邂逅(科学技術振興機構サイエンスポータル・レポート:第34回研究開発戦略ローンチアウト)

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • プレゼンテーション技法

    2022年度

  • 理工学基礎実験

    2022年度

  • 量子力学入門

    2022年度

  • 基礎理工学課題研究

    2022年度

  • 基礎理工学特別研究第2

    2022年度

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担当経験のある授業科目 【 表示 / 非表示

  • 量子力学入門 (物理情報工学科2年生:2021-)

    慶應義塾大学

    2021年04月
    -
    継続中

  • 物理情報工学実験C&D (物理情報工学科3年生:2013-)

    慶應義塾大学

    2013年04月
    -
    継続中

  • 物性物理同演習 (物理情報工学科3年生:2013-2020)

    慶應義塾大学

    2013年04月
    -
    2021年03月

  • 量子力学入門 (物理情報工学科2年生:2012-2017)

    慶應義塾大学

    2012年04月
    -
    2017年03月

  • 物理情報工学演習(物理情報工学科3年生:2012-2015)

    慶應義塾大学

    2012年04月
    -
    2015年03月

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社会活動 【 表示 / 非表示

  • (国立研究開発法人) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

    2011年04月
    -
    継続中
  • 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

    2011年04月
    -
    2022年03月
  • 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

    2009年04月
    -
    2012年03月
  • 物性グループ百人委員会

    1998年10月
    -
    2002年03月
  • フローニンゲン大学 物質科学センター 固体物理学研究室

    1996年04月
    -
    1997年03月

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所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 日本熱電学会, 

    2010年07月
    -
    2013年03月
  • 日本熱電学会, 

    2004年06月
    -
    継続中
  • 日本熱電学会, 

    2004年06月
    -
    2008年06月
  • 日本高圧力学会第44回高圧討論会, 

    2003年05月
    -
    2003年11月
  • 日本熱電学会, 

    2002年03月
    -
    2004年03月

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委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2011年04月
    -
    継続中

    フェロー, (独) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

  • 2011年04月
    -
    継続中

    委員, 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

  • 2010年07月
    -
    2013年03月

    編集委員, 日本熱電学会

  • 2009年04月
    -
    2012年03月

    「革新的デバイス創生のための物理基盤工学」 研究推進協力者, 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

  • 2004年07月
    -
    2014年06月

    評議員, 日本熱電学会

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