Matoba, Masanori

写真a

Affiliation

Faculty of Science and Technology, Department of Applied Physics and Physico-Informatics (Yagami)

Position

Professor

External Links

Career 【 Display / hide

  • 1990.04
    -
    1995.03

    慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 助手

  • 1994.10
    -
    1995.03

    通産省 工業技術院 電子技術総合研究所 電子基礎部 電子物性研究室, 招聘研究員

  • 1995.04
    -
    1997.03

    慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 専任講師

  • 1996.04
    -
    1997.03

    グローニンゲン大学(オランダ)物質科学センター, 博士研究員

  • 1997.04
    -
    1998.03

    慶應義塾大学理工学部 物理情報工学科, 専任講師

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Academic Background 【 Display / hide

  • 1985.03

    Keio University, Faculty of Science and Technology, Department of Applied Chemistry

    University, Graduated

  • 1987.03

    Keio University, Graduate School of Science and Technology, Applied Chemistry

    Graduate School, Completed, Master's course

  • 1990.03

    Keio University, Graduate School of Science and Technology, Applied Chemistry

    Graduate School, Withdrawal after completion of doctoral course requirements, Doctoral course

Academic Degrees 【 Display / hide

  • 博士(工学), Keio University, Dissertation, 1994.06

 

Research Areas 【 Display / hide

  • Natural Science / Magnetism, superconductivity and strongly correlated systems (Solid State Physics)

  • Strongly Correlated Electron Physics

  • Exploratory Materials Physics

  • Materials Design

 

Books 【 Display / hide

  • 科学技術未来戦略ワークショップ報告書「トラスト研究戦略 ~デジタル社会における新たなトラスト形成~」

    福島 俊一, 加納 寛之, 上村 健, 住田 朋久, 高島 洋典, 戸田 智美, 花田 文子, 福井 章人, 的場 正憲, 茂木 強, 山本 里枝子, 若山 正人, 木村 康則, 2022.09

  • 戦略プロポーザル「無線・光融合基盤技術の研究開発 ~次世代通信技術の高度化に向けて~」

    馬場 寿夫, 岩本 敏, 佐藤 勝昭, 林 喜宏, 赤木 浩, 高島 洋典, 的場 正憲, 福井 章人, 井上 眞梨, 竹内 良昭, 池田 健, 勝又 康弘, 新井 正伸, 大窪 宏明, 曽根 純一, 2022.03

  • 科学技術未来戦略ワークショップ報告書「次世代通信技術の高度化に向けた無線・光融合基盤技術」

    馬場 寿夫, 岩本 敏, 佐藤 勝昭, 林 喜宏, 赤木 浩, 高島 洋典, 的場 正憲, 福井 章人, 竹内 良昭, 池田 健, 勝又 康弘, 新井 正伸, 大窪 宏明, 曽根 純一, 2022.02

  • 俯瞰ワークショップ報告書「俯瞰セミナー&ワークショップ報告書:トラスト研究の潮流 ~人文・社会科学から人工知能、医療まで~」

    福島 俊一, 井上 眞梨, 加納 寛之, 上村 健, 住田 朋久, 高島 洋典, 戸田 智美, 花田 文子, 福井 章人, 的場 正憲, 宮薗 侑也, 茂木 強, 山本 里枝子, 若山 正人, 木村 康則, 2022.02

  • 戦略プロポーザル「材料創製技術を革新するプロセス科学基盤 ~プロセス・インフォマティクス~」

    福井 弘行, 伊藤 聡, 酒部 健一, 佐藤 勝昭, 竹内 良昭, 沼澤 修平, 的場 正憲, 眞子 隆志, 水本 邦彦, 宮下 哲, 曽根 純一, 2021.06

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Papers 【 Display / hide

  • Thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2

    Ryosuke Sakagami, Y. Goto, H. Karimata, N. Azuma, M. Yamaguchi, S. Iwasaki, M. Nakanishi, I. Kitawaki, Y. Mizuguchi, M. Matoba, Y. Kamihara

    Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 3 )  2021.03

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  00214922

     View Summary

    The thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2, have been investigated. A densified polycrystalline sample of EuSn2As2 with porosity (φ) of 2.4(9) vol.% exhibited a weak orientation to the c-axis for hexagonal coordination system; the weak orientation is parallel (P ∥) to the pressing direction of hot pressing. Measurements of electrical resistivity (ρ), Seebeck coefficient (S), and thermal conductivity (κ) were conducted perpendicular (P ⊥) to the pressing direction. The experimental values of ρ and S exhibit metallic temperature dependence and p-type carrier polarity. The power factor (P) was 0.51(8) mW m-1 K-2 at 673(4) K. Using the Wiedemann-Franz-Lorenz law, the phonon thermal conductivity (κ ph) was estimated to be 0.4(6) W m-1 K-1 at 673(6) K. The dimensionless figure of merit, ZT, was 0.092(17) at 673(3) K.

  • Proposal of disruptive computing (A computing-domain-oriented approach)

    T. Baba, Y. Shimada, S. Kawamura, M. Matoba, T. Fukushima, S. Fujii, T. Nagano, Y. Katsumata, N. Kochi, Y. Kimura

    Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 5 ) 050503-1 - 050503-13 2020.05

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  00214922

     View Summary

    The advanced data processing on the edge devices is getting much attention in addition to the performance of cloud computing for big data analysis and artificial intelligence for the advanced cyber-physical systems and Internet of Things. This paper shows the challenges of research and development on disruptive computing which enhance the conventional computing system with high performance and low power consumption. Future R&D challenges in computing technologies involve all technology layers including algorithms, packaging, software, architecture, circuits, devices, and materials. It is important from the perspective of social implementation and efficiency to select technologies suitable for important applications from each technology layer specific to the computing domain and with consideration for the timeline, and to develop technologies through a vertical integration approach. The promoting method of implementing such R&D is also described.

  • 混合アニオン層状化物Sr2CrFeAsO3-δの電子磁気相図

    山口 道太郎, 藤岡 弘孝, 大塚 貴史, 瀬戸 誠, 北尾 真司, 的場 正憲,神原 陽一

    日本磁気学会論文特集号 (日本磁気学会)  3   28 - 33 2019.05

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

     View Summary

    混合アニオン層状化合物Sr2CrFeAsO3-deltaの電子磁気状態相図を明らかにした。試料は主相以外に異相を含むため、分析化学的に格子体積と酸素欠損量の線形関係を仮定し、試料の化学組成を求めた。Sr2CrFeAsO3-deltaに含まれるFeは、酸素欠損量におうじて、”ストライプ型反強磁性相”と”内部磁場に分布の存在する反強磁性相”のいずれかを示す。

  • Superconducting properties of a mixed anion layered compound, Ca and F co-doped LaFeAsO with Tc = 31.5 K

    Kodai Kaneyasu, Ryosuke Sakagami, Masanori Matoba, Yoichi Kamihara

    Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)  58 ( 3 ) 030911.1 - 030911.5 2019.03

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  00214922

     View Summary

    Polycrystalline Ca and F co-doped LaFeAsO samples (La1-xCaxFeAsO1-yFy) were synthesized by solid-state reactions. Samples with nominal composition: (y - x) ≤ 0.05 did not show superconductivity at temperatures T > 4.2 K, although an anomalous kink of the ρ-T curves, which is related to crystallographic phase transitions, was observed at T ∼ 150 K. Samples with nominal composition: (y - x) ≥ 0.15 did exhibit superconductivity. The superconducting transition temperature (T c) of co-doped LaFeAsO with nominal composition: (x, y) = (0.25, 0.50) was determined to be T c = 31.5 K, which is higher than the highest T c value observed for LaFeAsO1-xFx materials synthesized under ambient pressure.

  • Superconducting transition temperatures in the electronic and magnetic phase diagrams of Sr2VFeAsO3-δ, a superconductor

    Yujiro Tojo, Taizo Shibuya, Tetsuro Nakamura, Koichiro Shoji, Hirotaka Fujioka, Masanori Matoba, Shintaro Yasui, Mitsuru Itoh, Soshi Iimura, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Shigeto Hirai, Wendy Mao, Shinji Kitao, Makoto Seto, and Yoichi Kamihara

    Journal of Physics: Condensed Matter 31   115801 (14 pages) 2019.01

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

     View Summary

    We elucidate the magnetic phases and superconducting (SC) transition temperatures (Tc) in Sr2VFeAsO3−δ(21113V), an iron-based superconductor with a thick-blocking layer fabricated
    from a perovskite-related transition metal oxide. At low temperatures (T<37.1 K), 21113V exhibited a SC phase in the range 0.031⩽δ⩽0.145 and an antiferromagnetic (AFM) iron
    sublattice in the range 0.267⩽δ⩽0.664. Mixed-valent vanadium exhibited a dominant AFM phase in 0.031⩽δ⩽0.088, and a partial ferrimagnetic (Ferri.) phase in the range 0.124⩽δ⩽0.664. The Ferri. phase was the most dominant at a δ value of 0.267, showing an AFM phase of Fe at T<20 K. Increasing the spontaneous magnetic moments reduced the magnetic shielding volume fraction due to the SC phase. This result was attributed to the magnetic phase of vanadium, which dominates the superconductivity of Fe in 21113V. The
    Tc–δ curve showed two maxima. The smaller and larger of Tc maxima occurred at δ=0.073 and δ=0.145, respectively; the latter resides on the phase boundary between AFM and the
    partial Ferri. phases of vanadium. 21113V is a useful platform for verifing new mechanisms of Tc enhancement in iron-based superconductors.

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Papers, etc., Registered in KOARA 【 Display / hide

Presentations 【 Display / hide

  • EuSn2P2のメスバウワ分光測定結果

    志村岳栄,劉子豪,的場正憲,神原陽一,北尾真司,瀬戸誠

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022.05

    Oral presentation (general), 日本材料科学会

  • Bi2Sr2CaCu2O8+xのゾルゲル法による合成と酸素発生反応触媒能評価

    宮本隼太,松村崇大,的場正憲,神原陽一

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022.05

    Oral presentation (general), 日本材料科学会

  • SnPn層状化合物EuSn2P2の多結晶合成と熱電輸送特性の研究

    劉子豪,志村岳栄,的場正憲,神原陽一

    2021年度日本材料科学会 学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022.05

    Oral presentation (general)

  • SmFeAsO0.77H0.14の臨界電流密度の間接測定

    堀地竜成,川松拓也,神原陽一,的場正憲

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022.05

    Oral presentation (general), 日本材料科学会

  • 異なる条件下で焼成した YBa2Cu3O7-δの合成と酸素発生反応の触媒能の評価

    倉持令,貝塚泰介,的場正憲,神原陽一

    2021年度日本材料科学会学術講演大会 (慶應義塾大学) , 

    2022.05

    Oral presentation (general), 日本材料科学会

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Research Projects of Competitive Funds, etc. 【 Display / hide

  • Quantum critical state and electronic structure of two-dimensional Kondo lattice

    2014.04
    -
    2017.03

    MEXT,JSPS, Grant-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Principal investigator

     View Summary

    We have studied Cr-doping effects on the suppressed magnetism and the electronic structure of quasi-2D layered oxypnictide CeFePO with alternating stack of Ce2O2 and Fe2P2 layers to find two quantum critical points (Cr5%, Cr45%) and reveal novel Kondo lattice picture as follows.
    The increasing phenomena of the electronic specific heat of CeFePO indicates that the existence of the Kondo singlet was confirmed below 12 K (Kondo temperature). On the other hand, in Cr20%, the appearance of the ferromagnetic transition, the decrease with remarkable electronic thermal capacity and the Kondo breakdown phenomenon are observed below 6 K. Also, the increase of the magnetic phase transition temperature due to applied magnetic field is confirmed, indicating the existence of the ferromagnetic fluctuation in Cr20%. Moreover, from the 57Fe Mossbauer spectrum analysis of Cr50%, it is expected that Fe spin states change into a spin density wave (SDW) below 25 K.

Works 【 Display / hide

  • 大学と地域との連携を考える

    MATOBA MASANORI

    2010.03

    Other, Single

Intellectual Property Rights, etc. 【 Display / hide

  • 混合アニオン化合物鉄系超電導導体とその製造方法

    Date applied: 2016-191311  2016.09 

    Date announced: 2018-055975  2018.04 

    Patent, Joint

  • 層状ビスマスカルコゲナイド系熱電変換材料及びその製造方法

    Date applied: 2015-168193  2015.08 

    Date announced: 2016-058725 (P2016-58725A)  2016.04 

    Patent, Joint

Awards 【 Display / hide

  • 日本材料科学会 功労賞

    的場 正憲, 2013.06

  • 熱電変換シンポジウム2000(TEC2000)研究優秀賞

    岡部 博孝,的場 正憲, 2000.07, 熱電変換研究会(現日本熱電変換学会), 擬1次元強相関電子材料の熱電特性

    Type of Award: Award from Japanese society, conference, symposium, etc.

Other 【 Display / hide

  • 2012年05月

     View Details

    フローニンヘンの戦略的邂逅(科学技術振興機構サイエンスポータル・レポート:第34回研究開発戦略ローンチアウト)

 

Courses Taught 【 Display / hide

  • PRESENTATION TECHNIQUE

    2022

  • LABORATORIES IN SCIENCE AND TECHNOLOGY

    2022

  • INTRODUCTION TO QUANTUM MECHANICS

    2022

  • INDEPENDENT STUDY ON FUNDAMENTAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

    2022

  • GRADUATE RESEARCH ON FUNDAMENTAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 2

    2022

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Courses Previously Taught 【 Display / hide

  • 量子力学入門 (物理情報工学科2年生:2021-)

    慶應義塾大学

    2021.04
    -
    Present

  • 物理情報工学実験C&D (物理情報工学科3年生:2013-)

    慶應義塾大学

    2013.04
    -
    Present

  • 物性物理同演習 (物理情報工学科3年生:2013-2020)

    慶應義塾大学

    2013.04
    -
    2021.03

  • 量子力学入門 (物理情報工学科2年生:2012-2017)

    慶應義塾大学

    2012.04
    -
    2017.03

  • 物理情報工学演習(物理情報工学科3年生:2012-2015)

    慶應義塾大学

    2012.04
    -
    2015.03

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Social Activities 【 Display / hide

  • (国立研究開発法人) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

    2011.04
    -
    Present
  • 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

    2011.04
    -
    2022.03
  • 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

    2009.04
    -
    2012.03
  • 物性グループ百人委員会

    1998.10
    -
    2002.03
  • フローニンゲン大学 物質科学センター 固体物理学研究室

    1996.04
    -
    1997.03

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Memberships in Academic Societies 【 Display / hide

  • 日本熱電学会, 

    2010.07
    -
    2013.03
  • 日本熱電学会, 

    2004.06
    -
    Present
  • 日本熱電学会, 

    2004.06
    -
    2008.06
  • 日本高圧力学会第44回高圧討論会, 

    2003.05
    -
    2003.11
  • 日本熱電学会, 

    2002.03
    -
    2004.03

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Committee Experiences 【 Display / hide

  • 2011.04
    -
    Present

    フェロー, (独) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

  • 2011.04
    -
    Present

    Committee Member, 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

  • 2010.07
    -
    2013.03

    Editor, 日本熱電学会

  • 2009.04
    -
    2012.03

    「革新的デバイス創生のための物理基盤工学」 研究推進協力者, 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

  • 2004.07
    -
    2014.06

    評議員, 日本熱電学会

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