Matoba, Masanori

写真a

Affiliation

Faculty of Science and Technology, Department of Applied Physics and Physico-Informatics (Yagami)

Position

Professor

External Links
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Career 【 Display / hide 】

  • 1990.04
    -
    1995.03

    慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 助手

  • 1994.10
    -
    1995.03

    通産省 工業技術院 電子技術総合研究所 電子基礎部 電子物性研究室, 招聘研究員

  • 1995.04
    -
    1997.03

    慶應義塾大学理工学部 応用化学科, 専任講師

  • 1996.04
    -
    1997.03

    グローニンゲン大学（オランダ）物質科学センター, 博士研究員

  • 1997.04
    -
    1998.03

    慶應義塾大学理工学部 物理情報工学科, 専任講師

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Academic Background 【 Display / hide 】

  • 1985.03

    Keio University, Faculty of Science and Technology, Department of Applied Chemistry

    University, Graduated

  • 1987.03

    Keio University, Graduate School of Science and Technology, Applied Chemistry

    Graduate School, Completed, Master's course

  • 1990.03

    Keio University, Graduate School of Science and Technology, Applied Chemistry

    Graduate School, Withdrawal after completion of doctoral course requirements, Doctoral course

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Academic Degrees 【 Display / hide 】

  • 博士(工学), Keio University, Dissertation, 1994.06

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Research Areas 【 Display / hide 】

  • Natural Science / Magnetism, superconductivity and strongly correlated systems (Solid State Physics)

  • Strongly Correlated Electron Physics

  • Exploratory Materials Physics

  • Materials Design

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Books 【 Display / hide 】

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Papers 【 Display / hide 】

  • 複合アニオン層状化合物 LaCu1-δS0.5Se0.5O (δ ~ 0.01) 多結晶縮退半導体の光学バンドギャップ内構造

    東 伸彦, 澤田 拓希, 伊藤 大平, 坂上 良介, 的場 正憲, 臼井 秀知, 神原陽一

    材料の科学と工学 58 ( 2 ) 22 - 26 2021.04

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

  • Thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2

    Ryosuke Sakagami, Yosuke Goto, Harunari Karimata, Nobuhiko Azuma, Michitaro Yamaguchi, Suguru Iwasaki, Manami Nakanishi, Itsuki Kitawaki, Yoshikazu Mizuguchi, Masanori Matoba, Yoichi Kamihara

    Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 3 )  2021.03

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  00214922

    　View Summary

    The thermoelectric transport properties of the van der Waals-type layered rhombohedral SnAs-based compound, EuSn2As2, have been investigated. A densified polycrystalline sample of EuSn2As2 with porosity (φ) of 2.4(9) vol.% exhibited a weak orientation to the c-axis for hexagonal coordination system; the weak orientation is parallel (P ∥) to the pressing direction of hot pressing. Measurements of electrical resistivity (ρ), Seebeck coefficient (S), and thermal conductivity (κ) were conducted perpendicular (P ⊥) to the pressing direction. The experimental values of ρ and S exhibit metallic temperature dependence and p-type carrier polarity. The power factor (P) was 0.51(8) mW m-1 K-2 at 673(4) K. Using the Wiedemann-Franz-Lorenz law, the phonon thermal conductivity (κ ph) was estimated to be 0.4(6) W m-1 K-1 at 673(6) K. The dimensionless figure of merit, ZT, was 0.092(17) at 673(3) K.

  • Proposal of disruptive computing (A computing-domain-oriented approach)

    T. Baba, Y. Shimada, S. Kawamura, M. Matoba, T. Fukushima, S. Fujii, T. Nagano, Y. Katsumata, N. Kochi, Y. Kimura

    Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 5 ) 050503-1 - 050503-13 2020.05

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  00214922

    　View Summary

    The advanced data processing on the edge devices is getting much attention in addition to the performance of cloud computing for big data analysis and artificial intelligence for the advanced cyber-physical systems and Internet of Things. This paper shows the challenges of research and development on disruptive computing which enhance the conventional computing system with high performance and low power consumption. Future R&D challenges in computing technologies involve all technology layers including algorithms, packaging, software, architecture, circuits, devices, and materials. It is important from the perspective of social implementation and efficiency to select technologies suitable for important applications from each technology layer specific to the computing domain and with consideration for the timeline, and to develop technologies through a vertical integration approach. The promoting method of implementing such R&D is also described.

  • 混合アニオン層状化物Sr2CrFeAsO3-δの電子磁気相図

    山口 道太郎, 藤岡 弘孝, 大塚 貴史, 瀬戸 誠, 北尾 真司, 的場 正憲，神原 陽一

    日本磁気学会論文特集号 (日本磁気学会)  3   28 - 33 2019.05

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted

    　View Summary

    混合アニオン層状化合物Sr2CrFeAsO3-deltaの電子磁気状態相図を明らかにした。試料は主相以外に異相を含むため、分析化学的に格子体積と酸素欠損量の線形関係を仮定し、試料の化学組成を求めた。Sr2CrFeAsO3-deltaに含まれるFeは、酸素欠損量におうじて、”ストライプ型反強磁性相”と”内部磁場に分布の存在する反強磁性相”のいずれかを示す。

  • Superconducting properties of a mixed anion layered compound, Ca and F co-doped LaFeAsO with Tc = 31.5 K

    Kodai Kaneyasu, Ryosuke Sakagami, Masanori Matoba, Yoichi Kamihara

    Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)  58 ( 3 ) 030911.1 - 030911.5 2019.03

    Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted,  ISSN  00214922

    　View Summary

    Polycrystalline Ca and F co-doped LaFeAsO samples (La1-xCaxFeAsO1-yFy) were synthesized by solid-state reactions. Samples with nominal composition: (y - x) ≤ 0.05 did not show superconductivity at temperatures T > 4.2 K, although an anomalous kink of the ρ-T curves, which is related to crystallographic phase transitions, was observed at T ∼ 150 K. Samples with nominal composition: (y - x) ≥ 0.15 did exhibit superconductivity. The superconducting transition temperature (T c) of co-doped LaFeAsO with nominal composition: (x, y) = (0.25, 0.50) was determined to be T c = 31.5 K, which is higher than the highest T c value observed for LaFeAsO1-xFx materials synthesized under ambient pressure.

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Papers, etc., Registered in KOARA 【 Display / hide 】

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Presentations 【 Display / hide 】

  • ファンデルワールス型二次元材料EuSn2P2 の元素選択的な磁性

    清水 眞秀, 山田 悠太郎, 神原 陽一, 的場 正憲

    第70回 応用物理学会春期学術講演会, 

    2023.03
    , 

    Oral presentation (general)

  • 磁気光学イメージングによるnominal SmFeAsO0.77H0.14の臨界電流密度測定

    末村 智紀, 川松 拓也, 堀地 竜成, 神原 陽一, 的場 正憲

    日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

    2022.12
    , 

    Oral presentation (general)

  • H-dopeを試みた層状オキシカルコゲナイドLaCuS0.5Se0.5Oの電気的性質

    伊藤 大平, 中島 大, 東 伸彦, 的場 正憲, 神原 陽一, 藤岡 正弥

    日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

    2022.12
    , 

    Oral presentation (general)

  • 水素導入熱処理プロセスのY0.77Gd0.23Ba2Cu3O7-δ薄膜の安定性

    浪田 秀郎, 佐藤 弘之, 的場 正憲, 藤岡 正弥, 岩崎 秀, 原 由子, 原田 工夢, 三浦 正志, 神原 陽一

    日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

    2022.12
    , 

    Oral presentation (general)

  • YBa2Cu3O7-δの酸素発生反応における触媒能の評価

    田原 大雅, 貝塚 泰介, 倉持 令, 的場 正憲, 神原 陽一

    日本材料科学会第27回若手研究者討論会, 

    2022.12
    , 

    Oral presentation (general)

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Research Projects of Competitive Funds, etc. 【 Display / hide 】

  • Quantum critical state and electronic structure of two-dimensional Kondo lattice

    2014.04
    -
    2017.03

    MEXT,JSPS, Grant-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Principal investigator

    　View Summary

    We have studied Cr-doping effects on the suppressed magnetism and the electronic structure of quasi-2D layered oxypnictide CeFePO with alternating stack of Ce2O2 and Fe2P2 layers to find two quantum critical points (Cr5%, Cr45%) and reveal novel Kondo lattice picture as follows.
    The increasing phenomena of the electronic specific heat of CeFePO indicates that the existence of the Kondo singlet was confirmed below 12 K (Kondo temperature). On the other hand, in Cr20%, the appearance of the ferromagnetic transition, the decrease with remarkable electronic thermal capacity and the Kondo breakdown phenomenon are observed below 6 K. Also, the increase of the magnetic phase transition temperature due to applied magnetic field is confirmed, indicating the existence of the ferromagnetic fluctuation in Cr20%. Moreover, from the 57Fe Mossbauer spectrum analysis of Cr50%, it is expected that Fe spin states change into a spin density wave (SDW) below 25 K.

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Works 【 Display / hide 】

  • 大学と地域との連携を考える

    MATOBA MASANORI

    2010.03
    , 

    Other, Single

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Intellectual Property Rights, etc. 【 Display / hide 】

  • 混合アニオン化合物鉄系超電導導体とその製造方法

    Date applied： 2016-191311  2016.09 

    Date announced： 2018-055975  2018.04 

    Patent, Joint

  • 層状ビスマスカルコゲナイド系熱電変換材料及びその製造方法

    Date applied： 2015-168193  2015.08 

    Date announced： 2016-058725 (P2016-58725A)  2016.04 

    Patent, Joint

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Awards 【 Display / hide 】

  • Best presentation award

    Yutaro Yamada, Ryosuke Sakagami, Masanori Matoba, and Yoichi Kamihara, 2022.11, The Materials Research Society of Korea, Thin film preparation and Raman spectroscopy of EuSn2As2

    Type of Award： Award from international society, conference, symposium, etc.

  • Best Presentation Awards (Poster)

    Manami Nakanishi, Masanori Matoba, and Yoichi Kamihara, 2018.11, The Materials Science Society of Japan, Electrical structure and thermal properties of ZrCuSiAs type mixed anion layered compounds

    Type of Award： Award from international society, conference, symposium, etc.

  • 日本材料科学会 功労賞

    的場 正憲, 2013.06

  • 熱電変換シンポジウム2000(TEC2000)研究優秀賞

    岡部 博孝，的場 正憲, 2000.07, 熱電変換研究会(現日本熱電変換学会), 擬1次元強相関電子材料の熱電特性

    Type of Award： Award from Japanese society, conference, symposium, etc.

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Other 【 Display / hide 】

  • 2012年05月

    　View Details

    フローニンヘンの戦略的邂逅（科学技術振興機構サイエンスポータル・レポート：第34回研究開発戦略ローンチアウト）

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Courses Taught 【 Display / hide 】

  • PRESENTATION TECHNIQUE

    2024

  • MID-TERM INTERNSHIP

    2024

  • LONG-TERM INTERNSHIP

    2024

  • LABORATORIES IN SCIENCE AND TECHNOLOGY

    2024

  • INTRODUCTION TO QUANTUM MECHANICS

    2024

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Courses Previously Taught 【 Display / hide 】

  • 量子力学入門 （物理情報工学科2年生：2021-）

    慶應義塾大学

    2021.04
    -
    Present

  • 物理情報工学実験C&D （物理情報工学科3年生：2013-)

    慶應義塾大学

    2013.04
    -
    Present

  • 物性物理同演習 (物理情報工学科3年生：2013-2020)

    慶應義塾大学

    2013.04
    -
    2021.03

  • 量子力学入門 （物理情報工学科2年生：2012-2017）

    慶應義塾大学

    2012.04
    -
    2017.03

  • 物理情報工学演習（物理情報工学科3年生：2012-2015）

    慶應義塾大学

    2012.04
    -
    2015.03

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Social Activities 【 Display / hide 】

  • 応用物理学会 超集積エレクトロニクス産学連携委員会

    2022.04
    -
    Present

  • (国立研究開発法人) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

    2011.04
    -
    Present

  • 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

    2011.04
    -
    2022.03

  • 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

    2009.04
    -
    2012.03

  • 物性グループ百人委員会

    1998.10
    -
    2002.03

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Memberships in Academic Societies 【 Display / hide 】

  • 日本磁気学会, 

    2007.10
    -
    Present

  • 日本高圧力学会第44回高圧討論会, 

    2003.05
    -
    2003.11

  • 日本熱電学会, 

    2002.03
    -
    Present

  • 日本材料科学会, 

    2001.06
    -
    Present

  • 日本応用磁気学会 化合物新磁性材料専門研究会, 

    2001.05
    -
    2007.09

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Committee Experiences 【 Display / hide 】

  • 2022.04
    -
    Present

    委員, 応用物理学会 超集積エレクトロニクス産学連携委員会

  • 2011.04
    -
    Present

    フェロー, (国立研究開発法人) 科学技術振興機構 研究開発戦略センター

  • 2011.04
    -
    2022.03

    Committee Member, 日本学術振興会 シリコン超集積化システム 第165委員会

  • 2010.07
    -
    2013.03

    Editor, 日本熱電学会

  • 2009.04
    -
    2012.03

    「革新的デバイス創生のための物理基盤工学」 研究推進協力者, 慶應義塾大学大学院 情報・電気・電子分野 グローバルCOEプログラム「アクセス空間支援基盤技術の高度国際連携」

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