松本　智 (マツモト　サトル)

Matsumoto, Satoru

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所属（所属キャンパス）

理工学部 （三田）

職名

名誉教授

外部リンク
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総合紹介 【 表示 ／ 非表示 】

  • 半導体エレクトロニクス 　半導体材料のエピタキシャル成長（Si基板上へのGaN、ガスソースMBEによる高純度３０Si） 　プロセス技術（点欠陥機構に基づくSi自己、ドーパント拡散の解明、イオン注入Siの電気的　　　　　　　　活性化、単原子ドーパント層Si２次元構造の電気特性、STMによるSi表面） 　デバイス作成（単一電子トランジスタの作成、小型光増幅器の作成）

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経歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 1976年04月
    -
    1982年03月

    慶應義塾大学工学部電気工学科 ,助手

  • 1982年04月
    -
    1984年07月

    慶應義塾大学理工学部電気工学科 ,専任講師

  • 1984年08月
    -
    1986年03月

    スタンフォード大学 ,訪問研究員

  • 1986年04月
    -
    1994年03月

    慶應義塾大学理工学部電気工学科 ,助教授

  • 1987年11月
    -
    継続中

    兼慶應義塾大学理工学部学生部 ,委員

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学歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 1971年03月

    慶應義塾大学, 工学部, 電気工学科

    大学, 卒業

  • 1973年03月

    慶應義塾大学, 工学研究科, 電気工学科

    大学院, 修了, 修士

  • 1976年03月

    慶應義塾大学, 工学研究科, 電気工学科

    大学院, 単位取得退学, 博士

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学位 【 表示 ／ 非表示 】

  • 工学　, 慶應義塾大学, 1977年03月

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著書 【 表示 ／ 非表示 】

  • 基本から学ぶ電子物性

    松本 智, 電気学会, 2011年07月

    　概要を見る

    現代情報化社会の基盤となっているのは、VLSI, 高周波トランジスタ、LED、半導体レーザ、磁気メモリーなどである。これらは半導体、絶縁体、金属、誘電体、磁性体などの物質の性質を巧みに利用している。これには物質中の電子のふるまいが係わっており、その理解が重要である。本書は、電子物性を初めて学ぶ学生に対して、重要な事項を無理なく理解できるよう丁寧にかつ具体的な事例を示して説明した入門的な教科書である。

  • 半導体デバイスの基礎

    松本 智, 培風館, 2003年11月

    　概要を見る

    初学者から、大学院生、専門技術者へスムーズに橋渡しのできることを目指した半導体デバイスの斬新なテキストである。特徴は、MOSデバイスの記述に重点を置いたこと、できるだけ具体的数値を用いて説明していること、さらに例題と問題を充実させ学習の便をはかっていることである。

  • 次世代ULSIプロセス技術

    リアライズ社, 2000年02月

  • 半導体大事典

    工業調査会, 1999年11月

  • 超精密技術体系　第2巻，実用技術「レーザードーピング装置」分担

    松本 智（分担）, フジ・テクノシステム, 1994年08月

    担当範囲: 588-603

    　概要を見る

    超精密技術の各種技術で実用化を中心に述べたもの、その中でレーザドーピング装置らの特長を注解している。

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論文 【 表示 ／ 非表示 】

  • Boron Diffusion in Silicon during Shallow p+/n Junction Formation by Non-Melet Excimer Laser Annealing

    松本 智

    Phys. Status. Solidi 208 （ 7 ） 1646-1651 2011年07月

    研究論文（学術雑誌）, 共著

  • Comparison of Boron Diffusion in Silicon during Shallow p+/n Formation by Non-Melt Excimer and Green Laser Annealing

    松本 智

    Phys. Status Solidi (a) 208 （ 12 ） 1002 2011年

    研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

  • Quantitative Estimation of strained Si/SiGe Heterostructure using C-V　チャラcて李s知cs雄fstら稲dSi MOS capactor

    松本 智

    ECS Transactions 25 （ 3 ） 179-185 2009年03月

    研究論文（学術雑誌）, 単著

  • Diffusion of Arsenic through strained Si/relaxed SiGe heterostructures

    松本 智

    J. Electrochem. Soc 155 （ 4 ） H210-H212 2008年04月

    研究論文（学術雑誌）, 共著

  • Cathodeluminescence investigation of relaxed layer and composition graded SiGe layer

    松本 智

    Jpn. J. Appl. Phys. 46 （ 11 ） 1463-1465 2007年11月

    研究論文（学術雑誌）, 共著

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KOARA（リポジトリ）収録論文等 【 表示 ／ 非表示 】

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研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

  • 「安定同位体３０Ｓｉを用いた外因性Ｓｉ中におけるＳｉ自己拡散」

    中林　幸雄、Ｈｉｒｍａｎ、瀬川　徹、斎藤　数正、松本　智、室田　淳一、和田　一実、阿部　孝夫、

    応用物理学会, 

    2001年03月
    , 

    口頭発表（一般）

  • 「ＣＺ－Ｓｉ中におけるＰの過渡増速拡散、損失に及ぼす窒化膜偏析の影響」

    斎藤　数正、藤原　尚樹、中林　幸雄、Ｈｉｒｍａｎ．豊永　一成、松本　智、佐藤　芳之

    応用物理学会, 

    2001年03月
    , 

    口頭発表（一般）

  • 「Ｓｉ（１００）上へのＢＰのエピタキシャル薄膜の選択成長」

    花本　英俊、西村　鈴香、寺嶋　一高、松本智

    応用物理学会, 

    2001年03月
    , 

    口頭発表（一般）

  • 「ボロン再構成表面/ＳｉにおけるＧｅ量子ドットの形成」

    永井　秀明、森　裕俊、柳川　知明、松本　智

    応用物理学会, 

    2001年03月
    , 

    口頭発表（一般）

  • 「ＧＳ－ＭＢＥの選択成長を用いたｃ－Ｓｉ/ＳｉＯ２低次元構造の作成」

    瀬川　徹、松本　智

    電子情報通信学会, 

    2001年02月
    , 

    口頭発表（一般）

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社会活動 【 表示 ／ 非表示 】

  • 日本学術振興会

    1998年09月
    -
    継続中

  • 日本学術振興会 第145委員会

    1993年05月
    -
    継続中

  • 理化学研究所 国際フロンティア研究システム量子化素子研究チーム

    1986年10月
    -
    継続中

  • 科学技術庁 「大出力・波長可変レーザ及びレーザプロセシング技術に関する研究」

    1985年04月
    -
    継続中
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所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

  • 電気学会 「放射光励起プロセス」技術調査専門委員会, 

    1994年09月

  • (社)電気学会 論文委員会, 

    1989年07月
    -
    継続中

  • (社)電気学会 「電子・情報・システム部門誌委員会」, 

    1989年06月
    -
    継続中

  • (社)電気学会 「レーザ励起ドライプロセス調査専門委員会」, 

    1988年01月
    -
    継続中

  • (社)電気学会, 

    1984年04月
    -
    継続中

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委員歴 【 表示 ／ 非表示 】

  • 1993年05月
    -
    継続中

    委員, 日本学術振興会 第145委員会

  • 1989年07月
    -
    継続中

    幹事, (社)電気学会 論文委員会

  • 1989年06月
    -
    継続中

    幹事, (社)電気学会 「電子・情報・システム部門誌委員会」

  • 1988年01月
    -
    継続中

    幹事, (社)電気学会 「レーザ励起ドライプロセス調査専門委員会」

  • 1986年10月
    -
    継続中

    研究推進委員, 理化学研究所 国際フロンティア研究システム量子化素子研究チーム

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