Details of a Researcher - Matsumoto, Satoru

Matsumoto, Satoru

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Affiliation: Faculty of Science and Technology （Mita）

Position: Professor Emeritus

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Profile Summary 【 Display / hide 】

'''''''semiconductor electronics epitaxial growth: GaN on Si substrate, isotopically pure 30Si on natural S) process technology(Si self- and dopant diffusion, electrical activation of ion implanted Si, tw-dimensional Si with dopant mono-layer, Si by STM devcies( fabrication of single electron transistor, optical amplifier)'''''''

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Career 【 Display / hide 】

1976.04

-

1982.03

慶應義塾大学工学部電気工学科 ,助手
1982.04

-

1984.07

慶應義塾大学理工学部電気工学科 ,専任講師
1984.08

-

1986.03

スタンフォード大学 ,訪問研究員
1986.04

-

1994.03

慶應義塾大学理工学部電気工学科 ,助教授
1987.11

-

Present

兼慶應義塾大学理工学部学生部 ,委員

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Academic Background 【 Display / hide 】

1971.03

Keio University, Faculty of Engineering, 電気工学科

University, Graduated
1973.03

Keio University, Graduate School, Division of Engineering, 電気工学科

Graduate School, Completed, Master's course
1976.03

Keio University, Graduate School, Division of Engineering, 電気工学科

Graduate School, Withdrawal after completion of doctoral course requirements, Doctoral course

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Academic Degrees 【 Display / hide 】

工学　, Keio University, 1977.03

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Books 【 Display / hide 】

基本から学ぶ電子物性

MATSUMOTO SATORU, 電気学会, 2011.07

　View Summary

現代情報化社会の基盤となっているのは、VLSI, 高周波トランジスタ、LED、半導体レーザ、磁気メモリーなどである。これらは半導体、絶縁体、金属、誘電体、磁性体などの物質の性質を巧みに利用している。これには物質中の電子のふるまいが係わっており、その理解が重要である。本書は、電子物性を初めて学ぶ学生に対して、重要な事項を無理なく理解できるよう丁寧にかつ具体的な事例を示して説明した入門的な教科書である。
Fundamentals of Semiconductor Devices

MATSUMOTO SATORU, 培風館, 2003.11

　View Summary

初学者から、大学院生、専門技術者へスムーズに橋渡しのできることを目指した半導体デバイスの斬新なテキストである。特徴は、MOSデバイスの記述に重点を置いたこと、できるだけ具体的数値を用いて説明していること、さらに例題と問題を充実させ学習の便をはかっていることである。
次世代ULSIプロセス技術

リアライズ社, 2000.02
半導体大事典

工業調査会, 1999.11
超精密技術体系　第2巻，実用技術「レーザードーピング装置」分担

松本智（分担）, フジ・テクノシステム, 1994.08

Scope: 588-603

　View Summary

超精密技術の各種技術で実用化を中心に述べたもの、その中でレーザドーピング装置らの特長を注解している。

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Papers 【 Display / hide 】

Boron Diffusion in Silicon during Shallow p+/n Junction Formation by Non-Melet Excimer Laser Annealing

<S.R.Aid, S. Matsumoto and G. Fuse

Phys. Status. Solidi 208 （ 7 ） 1646-1651 2011.07

Research paper (scientific journal), Joint Work
Comparison of Boron Diffusion in Silicon during Shallow p+/n Formation by Non-Melt Excimer and Green Laser Annealing

S.R.Aid, S.Matsumoto, G. Fuse and S. Sakuragi

Phys. Status Solidi (a) 208 （ 12 ） 1002 2011

Research paper (scientific journal), Joint Work, Accepted
Quantitative Estimation of strained Si/SiGe Heterostructure using C-V　チャラcて李s知cs雄fstら稲dSi MOS capactor

M. Inagaki, MATSUMOTO SATORU

ECS Transactions 25 （ 3 ） 179-185 2009.03

Research paper (scientific journal), Single Work
Diffusion of Arsenic through strained Si/relaxed SiGe heterostructures

T. Sumitomo, MATSUMOTO SATORU

J. Electrochem. Soc 155 （ 4 ） H210-H212 2008.04

Research paper (scientific journal), Joint Work
Cathodeluminescence investigation of relaxed layer and composition graded SiGe layer

T. Sumitomo, MATSUMOTO SATORU

Jpn. J. Appl. Phys. 46 （ 11 ） 1463-1465 2007.11

Research paper (scientific journal), Joint Work

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Papers, etc., Registered in KOARA 【 Display / hide 】

Thermal generation of Frenkel pair in silicon

Matsumoto, Satoru

Keio Science and Technology Reports （慶應義塾大学理工学部) 40 （ 2 ） 19 - 25 1987.12

ISSN 02864215

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Presentations 【 Display / hide 】

「安定同位体３０Ｓｉを用いた外因性Ｓｉ中におけるＳｉ自己拡散」

中林　幸雄、Ｈｉｒｍａｎ、瀬川　徹、斎藤　数正、松本　智、室田　淳一、和田　一実、阿部　孝夫、

応用物理学会,

2001.03
,
Oral presentation (general)
「ＣＺ－Ｓｉ中におけるＰの過渡増速拡散、損失に及ぼす窒化膜偏析の影響」

斎藤　数正、藤原　尚樹、中林　幸雄、Ｈｉｒｍａｎ．豊永　一成、松本　智、佐藤　芳之

応用物理学会,

2001.03
,
Oral presentation (general)
「Ｓｉ（１００）上へのＢＰのエピタキシャル薄膜の選択成長」

花本　英俊、西村　鈴香、寺嶋　一高、松本智

応用物理学会,

2001.03
,
Oral presentation (general)
「ボロン再構成表面/ＳｉにおけるＧｅ量子ドットの形成」

永井　秀明、森　裕俊、柳川　知明、松本　智

応用物理学会,

2001.03
,
Oral presentation (general)
「ＧＳ－ＭＢＥの選択成長を用いたｃ－Ｓｉ/ＳｉＯ２低次元構造の作成」

瀬川　徹、松本　智

電子情報通信学会,

2001.02
,
Oral presentation (general)