慶應義塾研究者情報データベース

学歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 1998年03月

  京都大学, 工学部, 電子工学科

  大学, 卒業

• 2000年03月

  京都大学, 工学研究科, 電子物性工学専攻

  大学院, 修了, 修士

• 2002年11月

  京都大学, 工学研究科, 電子物性工学専攻

  大学院, 修了, 博士

学位 【 表示 ／ 非表示 】

学位 【 表示 ／ 非表示 】

• 博士（工学）, 京都大学, 課程, 2002年11月

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

研究分野 【 表示 ／ 非表示 】

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 （Electron/Electric Material Engineering）

• ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性

• ナノテク・材料 / 応用物性

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• Visible-Light-Driven Photocatalytic Polyethylene Degradation Using WO₃ Nanoflowers Without Hot-Press Processing

  Ibuki Koizumi, Kosei Ito, Kei Noda

  Chemphotochem 10 （ 3 ） e202500355 2026年03月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 最終著者, 査読有り

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  Plastic waste poses significant environmental and health challenges. Photocatalytic degradation using sunlight offers a promising solution; however, many previous studies have relied on impractical conditions, such as employing ultraviolet light irradiation and hot-pressed mixture of plastics and photocatalysts. In this study, we explored a simple and practical method for plastic degradation under visible light. A visible-light-responsive tungsten trioxide (WO<inf>3</inf>) powder with a nanoflower structure was simply mixed with polyethylene (PE) powder without hot pressing and then irradiated with visible light. Effective degradation of PE was observed, and the reaction proceeded stably under prolonged irradiation. In contrast, a hot-pressed WO<inf>3</inf>–PE sample exhibited reduced degradation efficiency, likely due to the collapse of the nanoflower structure, which diminished light absorption and surface activity. These findings demonstrate that a simple powder mixture can enable efficient plastic degradation under visible light, presenting a practical strategy for photocatalytic plastic waste treatment and contributing to sustainable environmental solutions.

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• Efficient photocatalytic properties using the S-scheme charge transfer of WO₃/C₃N₅ without precious metals

  Kosei Ito, Shuta Fujioka, Shusuke Yoneyama, Matthis Richard Vosberg, Paul Fons, Kei Noda

  Applied Surface Science 732   166558 2026年03月

  研究論文（学術雑誌）, 最終著者, 査読有り

  • Access to Document (DOI)

• p⁺-i-p⁺ Type poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) thin-film transistors prepared by transfer printing with elastomer stamps

  Takayama K., Igata K., Nakajima Y., Ito T., Noda K.

  Journal of Materials Science Materials in Electronics （Springer Science+Business Media, LLC）  36 （ 21 ） 1353 2025年07月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 最終著者, 責任著者, 査読有り,  ISSN  09574522

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  In organic thin-film transistors (OTFTs), carrier doping is a versatile technique to control and improve their device characteristics. In this study, bottom-gate, bottom-contact (BGBC) p-channel transistors comprised by contact electrodes of highly p-doped layer (p⁺) and a non-doped, intrinsic semiconductor layer (i), so-called p⁺-i-p⁺ type transistors, were newly fabricated by using the transfer printing of poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) films. A uniform P3HT thin layer was formed onto a poly(dimethylsiloxane) (PDMS) elastomer by the push coating method, followed by the peel-off and transfer process of P3HT micropatterns via elastomer stamping with the aid of prepatterned master substrates. Source-drain p⁺ layers were prepared by liquid-phase doping of the P3HT micropatterns with 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ) as an acceptor dopant. Then, undoped i stripes were deposited onto the p⁺ contact electrode patterns by the transfer printing, which enabled us to construct p⁺-i-p⁺ type polymer transistors with hydrophobic CYTOP-coated SiO<inf>2</inf> gate insulators. The prepared devices presented p-channel, normally-off operation with no gate-sweep hysteresis, suggesting that the appropriate combination of printing and molecular doping techniques can pave the way toward the device design of all-organic transistors.

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• Impact of synthesis temperatures on photocatalytic activity of graphitic carbon nitride

  Pratiksha D. Donolikar, Vaishali A. Sawant, Kei Noda, Shivaji B. Sadale

  Journal of Materials Science: Materials in Electronics （Springer Science+Business Media, LLC）  36   1162 2025年07月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 査読有り

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• Post-Annealing Effects in Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors Based on a Vacuum-Deposited S‑Shaped Dinaphthothienothiophene Derivative

  Noda K., Zschieschang U., Klauk H.

  ACS Applied Electronic Materials （American Chemical Society）  7 （ 14 ） 6411 - 6419 2025年07月

  研究論文（学術雑誌）, 共著, 筆頭著者, 責任著者, 査読有り

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  Post-annealing effects in low-voltage organic thin-film transistors (TFTs) based on vacuum-deposited films of the liquid-crystalline small-molecule semiconductor 3,10-didecylnaphtho[2,1-b]naphtho[1′,2′:4,5]thieno[2,3-d]thiophene (S-DNTT-10) were investigated. Bottom-contact (BC) and top-contact (TC) TFTs with gold source and drain contacts were prepared by using a high-capacitance gate dielectric based on aluminum oxide and an alkylphosphonic acid self-assembled monolayer. During S-DNTT-10 deposition, the substrate was at room temperature. In BC devices, post-annealing at a temperature of 160 °C leads to a reduction in the number of three-dimensional aggregates on the surface and to a larger grain size of the S-DNTT-10 films, leading to smaller contact resistance, larger intrinsic channel mobility, and better long-term stability in comparison with the TFTs prepared without post-annealing. In TC devices, post-annealing performed before the deposition of the source/drain contacts is found to benefit the initial TFT performance, while post-annealing performed after the source/drain deposition turns out to be better for the long-term stability of the TFTs, presumably due to the fact that the thermally induced morphological changes in the S-DNTT-10 thin films are affected by the presence of the metal contacts (or lack thereof). This study suggests that post-annealing can be of great use for improving the characteristics of organic TFTs based on vacuum-deposited liquid-crystalline organic semiconductors.

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KOARA（リポジトリ）収録論文等 【 表示 ／ 非表示 】

KOARA（リポジトリ）収録論文等 【 表示 ／ 非表示 】

• 前駆体の精密設計に基づく二次元窒化炭素構造体の薄膜形成と光応答型膜反応器への応用

  野田, 啓

  科学研究費補助金研究成果報告書 2022年

• 半導体ナノ構造表面での気相光触媒反応場の探究と二酸化炭素光還元への応用

  野田, 啓

  学事振興資金研究成果実績報告書 （慶應義塾大学）  2020年

• 半導体ナノ構造表面における気相光触媒反応場の追跡と人工光合成への応用

  野田, 啓

  科学研究費補助金研究成果報告書 2019年

• 半導体光触媒ナノ構造と水素透過膜の統合による光誘起高純度水素生成

  野田, 啓

  科学研究費補助金研究成果報告書 2015年

• キャリア濃度制御に基づく有機トランジスタのデバイス設計とスケーリング則の確立

  野田, 啓

  科学研究費補助金研究成果報告書 2013年

総説・解説等 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説等 【 表示 ／ 非表示 】

• 陽極酸化による酸化鉄ナノ チューブアレイの形成と気相反応場での光触媒機能

  野田　啓，柵木　光

  電気化学 （電気化学会）  89 （ 4 ） 340 - 345 2021年12月

  記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 共著

  • Access to Document (DOI)

• 有機電界効果トランジスタにおける電気特性評価技術の現状について

  野田 啓

  応用物理学会　有機分子・バイオエレクトロニクス分科会誌 28 （ 4 ） 242 - 245 2017年11月

  記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 単著

• 有機半導体実験のコツ

  野田 啓

  応用物理 86 （ 1 ） 51 - 54 2017年01月

  記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 単著

• 総論:「有機エレクトロニクス」の背景と「分子制御技術」の重要性

  野田 啓

  電気学会誌 136 （ 2 ） 72 - 73 2016年02月

  記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 単著

  • Access to Document (DOI)

• 電荷ドーピングによる有機トランジスタの素子設計

  野田 啓

  電気学会誌 136 （ 2 ） 78 - 81 2016年02月

  記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）, 単著

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研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

研究発表 【 表示 ／ 非表示 】

• 異なる透明導電性基板上に直接成膜したC₃N₅光電極における大きなオンセット電位変化

  梅澤 優生,吉井 悠真,伊藤 皇聖,野田 啓

  [国内会議]  電気化学会第93回大会 （東京理科大学 野田キャンパス） , 

  2026年03月

  , 

  口頭発表（一般）

• 酸化チタン/酸化タングステンナノ複合体の全電気化学形成とエレクトロクロミック特性

  及川 尚紀, 原田 豪, 野田 啓

  [国内会議]  第73回応用物理学会春季学術講演会 （東京科学大学 大岡山キャンパス） , 

  2026年03月

  , 

  口頭発表（一般）

• 逆構造高分子OLEDにおける自己加熱に基づく抵抗変化現象

  西嶋 快斗,石黒 蒼,野田 啓

  [国内会議]  第73回応用物理学会春季学術講演会 （東京科学大学 大岡山キャンパス） , 

  2026年03月

  , 

  ポスター発表

• 熱化学気相成長により堆積した高分子状窒化炭素薄膜の抵抗変化メモリ特性

  杉山慶悟, 柳澤 宙輝, 野田 啓

  [国内会議]  第73回応用物理学会春季学術講演会 （東京科学大学 大岡山キャンパス） , 

  2026年03月

  , 

  ポスター発表

• g-C₃N₄/DPP-DTT薄膜ヘテロ接合のフォトダイオード特性

  柳澤 宙輝, 野田 啓

  [国内会議]  第73回応用物理学会春季学術講演会 （東京科学大学 大岡山キャンパス） , 

  2026年03月

  , 

  ポスター発表

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競争的研究費の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

競争的研究費の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

• 前駆体の精密設計に基づく高分子状窒化炭素構造体の薄膜形成と光電気化学応用

  2025年04月

  -

  2028年03月

  野田 啓, 基盤研究(B), 補助金,  研究代表者

• 電熱特性を考慮した有機半導体デバイス設計と高電流スイッチングへの応用

  2022年06月

  -

  2025年03月

  文部科学省・日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 野田 啓, 挑戦的研究（萌芽）, 補助金,  研究代表者

• 前駆体の精密設計に基づく二次元窒化炭素構造体の薄膜形成と光応答型膜反応器への応用

  2019年04月

  -

  2023年03月

  科学研究費補助金(文部科学省・日本学術振興会）, 補助金,  研究代表者

• 半導体ナノ構造表面における気相光触媒反応場の追跡と人工光合成への応用

  2017年06月

  -

  2020年03月

  科学研究費補助金(文部科学省・日本学術振興会）, 補助金,  研究代表者

• 有機半導体薄膜に関する国際標準化

  2014年04月

  -

  2017年02月

  受託研究,  研究分担者

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知的財産権等 【 表示 ／ 非表示 】

知的財産権等 【 表示 ／ 非表示 】

• 有機薄膜トランジスタ

  出願日： 2013-112504  2013年05月 

  特許権, 共同

• 水素生成・分離一体型機能性薄膜及びその製造方法

  出願日： 2011-013778  2011年01月 

  特許権, 共同

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

受賞 【 表示 ／ 非表示 】

• IEC 1906賞

  2017年10月, 国際電気標準会議

  受賞区分： 国内外の国際的学術賞

• 2007年度（第7回）船井情報科学奨励賞（エレクトロニクス部門）

  野田　啓, 2008年04月, 船井情報科学振興財団

  受賞区分： 出版社・新聞社・財団等の賞

• Research fellowship from Alexander von Humboldt Foundation

  2004年04月, Alexander von Humboldt Foundation

  受賞区分： 出版社・新聞社・財団等の賞

• 1st International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE1), Young Scientist Award

  野田　啓, 2001年03月, 1st International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE1)

  受賞区分： 国内学会・会議・シンポジウム等の賞

• 第47回応用物理学関係連合講演会（応用物理学会） 講演奨励賞

  野田　啓, 2000年03月, 応用物理学会

  受賞区分： 国内学会・会議・シンポジウム等の賞

その他 【 表示 ／ 非表示 】

その他 【 表示 ／ 非表示 】

• 2017年06月

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  IEC/TS 62607-5-3 Ed 1.0 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 5-3: Thin-film organic/nano electronic devices - Measurements of charge carrier concentration, Project Leader

• 2016年02月

  　内容を見る

  電気学会誌　2016年2月号 特集「次世代を担う機能性有機材料～分子制御とそのエレクトロニクス応用～」　ゲストエディタ

• 2014年09月

  　内容を見る

  IEC/TS 62607-5-1 Ed 1.0 Nanomanufacturing - Key control characteristics - Part 5-1: Thin-film organic/nano electronic devices - Carrier transport measurements

担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

担当授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

• 物理学Ｃ

  2025年度

• 有機電子材料・デバイス

  2025年度

• 電気電子材料

  2025年度

• 自然科学実験

  2025年度

• 電気情報工学実験第２

  2025年度

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担当経験のある授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

担当経験のある授業科目 【 表示 ／ 非表示 】

• 自然科学実験

  慶應義塾

  2018年04月

  -

  2019年03月

  , 

  春学期, 実習・実験

• 電気電子材料

  慶應義塾

  2018年04月

  -

  2019年03月

  , 

  秋学期, 講義

• 電気電子工学実験第２

  慶應義塾

  2018年04月

  -

  2019年03月

  , 

  秋学期, 実習・実験

• 有機電子材料・デバイス

  慶應義塾

  2018年04月

  -

  2019年03月

  , 

  秋学期, 講義

• 物理学C, D

  慶應義塾

  2018年04月

  -

  2019年03月

  , 

  秋学期

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教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

教育活動及び特記事項 【 表示 ／ 非表示 】

• 京都大学　大学院　工学研究科　非常勤講師

  2025年06月

  -

  2025年09月

  , その他特記事項

• 京都大学　大学院　工学研究科　非常勤講師

  2023年04月

  -

  2023年09月

  , その他特記事項

• 三重大学　大学院　工学研究科　非常勤講師

  2022年04月

  -

  2022年09月

  , その他特記事項

• 京都大学　大学院　工学研究科　非常勤講師

  2021年04月

  -

  2021年09月

  , その他特記事項

• 京都大学　大学院　工学研究科　非常勤講師

  2019年04月

  -

  2019年09月

  , その他特記事項

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所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】

• 応用物理学会

  　

• 電気化学会

  　

• Materials Research Society

  　

委員歴 【 表示 ／ 非表示 】

委員歴 【 表示 ／ 非表示 】

• 2020年04月

  -

  2022年03月

  委員, 応用物理学会　論文賞委員会

• 2018年08月

  -

  継続中

  Editorial Board Member, Journal of Analytical Science and Technology

• 2018年04月

  -

  継続中

  委員, ISO/TC229 ナノテクノロジー標準化国内審議委員会

• 2018年03月

  -

  継続中

  委員, 電子情報技術産業協会　ナノエレクトロニクス標準化専門委員会　ナノカーボン標準化グループ

• 2018年02月

  -

  2022年01月

  代議員, 応用物理学会

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