中野 誠彦 (ナカノ ノブヒコ)

Nakano, Nobuhiko

写真a

所属(所属キャンパス)

理工学部 電気情報工学科 (矢上)

職名

教授

メールアドレス

メールアドレス

経歴 【 表示 / 非表示

  • 1995年04月
    -
    1996年03月

    慶應義塾大学理工学部 ,訪問研究員

  • 1995年04月
    -
    1996年03月

    日本学術振興会 ,特別研究員

  • 1996年
    -
    1999年

    1年生クラス担任

  • 1996年04月
    -
    1999年03月

    慶應義塾大学理工学部電子工学科 ,助手

  • 1999年04月
    -
    2003年03月

    慶應義塾大学理工学部電子工学科 ,専任講師

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学歴 【 表示 / 非表示

  • 1990年03月

    慶應義塾, 理工学部, 電気工学科

    大学, 卒業

  • 1992年03月

    慶應義塾, 理工学研究科, 電気工学専攻

    大学院, 修了, 修士

  • 1995年03月

    慶應義塾, 理工学研究科, 電気工学専攻

    大学院, 修了, 博士

学位 【 表示 / 非表示

  • 工学, 慶應義塾, 1995年03月

 

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 電子デバイス・電子機器 (Electronic Device/Electronic Equipment)

  • 神経生理学・神経科学一般 (神経科学一般)

研究キーワード 【 表示 / 非表示

  • アナログ回路設計

  • ノイズモデリング

  • バイオセンシング

  • 数値計算

  • 集積回路

 

論文 【 表示 / 非表示

  • Optimization of Front Diffusion Profile in Bifacial Interdigitated Back Contact Solar Cell

    Takaya Sugiura, Satoru Matsumoto, and Nobuhiko Nakano

    IEEE Journal of Photovoltaics (IEEE)  2020年09月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り

  • Bifacial PERC Solar Cell Designs: Bulk and Rear Properties and Illumination Condition

    Takaya Sugiura, Satoru Matsumoto, and Nobuhiko Nakano

    IEEE Journal of Photovoltaics (IEEE)  2020年08月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り

  • Evaluation of p-Type 4H-SiC Piezoresistance Coefficients in (0001) Plane Using Numerical Simulation

    Sugiura T., Takahashi N., Nakano N.

    Materials Science Forum (Scientific.Net)  1004   249 - 255 2020年07月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り,  ISSN  9783035715798

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    © 2020 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland. A numerical simulation of p-type 4H-Silicon Carbide (4H-SiC) piezoresistance coefficients in (0001) plane evaluation is shown in this study. A 4H-SiC material has outstanding material characteristics of wide band-gap of 3.26 eV and high temperature robustness. However, many material properties of 4H-SiC material are still unknown, including piezoresistance coefficients. Piezoresistive effect is resistivity change when mechanical stress is applied to the material. Piezoresistance coefficients express the magnitude of this effect, important for designing a mechanical stress sensor. In this study, reported piezoresistance coefficients of p-type 4H-SiC in (0001) plane is evaluated based on numerical simulation. The simulated results of Gauge Factor (GF) values (determined by (ΔR/R)/ε (R is the resistance and ε is the strain of material)) well matched to the theoretical GF values (determined by πE (π is the piezoresistance coefficient and E is Young’s modulus of the material)), shows that reported piezoresistance coefficients are reliable. Also, the internal mappings of piezoresistive effect from the numerical simulation are shown, useful to understand piezoresistive effect which is difficult to see by experimental results.

  • The piezoresistive mobility modeling for cubic and hexagonal silicon carbide crystals

    Sugiura T., Takahashi N., Nakano N.

    Journal of Applied Physics 127 ( 24 )  2020年06月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り,  ISSN  00218979

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    © 2020 Author(s). The piezoresistive effect is characterized by the change in the resistivity of a material relative to mechanical forces exerted on it. Such materials can be used as pressure sensors and are among the most important components for micro-electro mechanical system applications. To date, most research on the piezoresistive effect has been directed toward cubic crystalline materials such as Si; however, the prospective non-cubic materials, such as SiC, are known to have exciting and promising properties. SiC exhibits high-temperature robustness and is chemically stable. It is expected that these properties can be applied to a variety of applications. These materials fall in the category of hexagonal crystalline systems, and it is difficult to evaluate the piezoresistive properties of such materials. In this study, we discuss the piezoresistive mobility model that corresponds to both the cubic and the hexagonal crystalline systems. This mobility model is derived from the empirical fitting of the Gauge Factor (G F) values using the longitudinal and the transverse piezoresistive coefficients and the material-unique fitting parameters. Our proposed method has been implemented in the original device simulator and has been evaluated with respect to both Si and SiC materials. This report shows the well-matched G F values and suggests that the proposed piezoresistive effect model can be implemented in device simulation modeling.

  • Numerical analysis of p-type and n-type based carrier-selective contact solar cells with tunneling oxide thickness and bulk properties

    Sugiura T., Matsumoto S., Nakano N.

    Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)  59 ( SG )  2020年04月

    研究論文(学術雑誌), 共著, 査読有り,  ISSN  00214922

     概要を見る

    © 2020 The Japan Society of Applied Physics. Tunnel Oxide Passivated Contact (TOPCon) is a c-Si solar cell structure with tunneling oxide near the rear electrode. A full-area tunneling oxide provides sufficient passivation and low internal resistance with 1D carrier transport. Carrier tunneling mechanism is the key factor of a TOPCon solar cell; the thicker the tunneling oxide, the better is its ability to prevent minority-carrier tunneling. However, excessively thick oxide degrades majority-carrier tunneling. Therefore, the relationship between tunneling oxide thickness and cell performance is important. In this study, TOPCon solar cell structures are evaluated by varying their tunneling oxide thickness and bulk properties for both p-type and n-type bulk using numerical simulation. It is observed that the difference in bulk type is crucial to TOPCon solar cell performance: n-type material shows better performance because of its smaller minority-carrier tunneling current density and wider range of effective tunneling oxide thickness compared to p-type.

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KOARA(リポジトリ)収録論文等 【 表示 / 非表示

研究発表 【 表示 / 非表示

  • An On-Chip Ultra-Low-Power Hz-Range Ring Oscillator Based on Dynamic Leakage Suppression Logic

    Jorge Cañada, Yui Yoshida, Hiroki Miura, Nobuhiko Nakano

    International Technical Conference on Circuits/Systems, Computers and Communications (ITC-CSCC 2020), 2020年07月

  • Low-power High-Voltage Driver Based on Standard CMOS Technology for On-Chip Memory Recording

    Jorge Cañada, Yui Yoshida, Takashi Tonomura, Hiroki Miura, Nobihiko Nakano

    電子回路研究会 (日本大学理工学部駿河台校舎タワー・スコラ) , 2019年12月, 口頭(一般), 電気学会

  • リングオシレータ用昇圧器付きクロスカップルチャージポンプ

    三浦 大毅, 吉田 祐威, 外村 崇史, Jorge Canada, 中野 誠彦

    電子回路研究会, 2019年12月, 口頭(一般)

  • A delta-sigma modulator with frequency division multiplexing for multi-channel EEG acquisition front-end

    Mikawa M., Kawazoe S., Fukuoka R., Nakano N. 

    2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS 2019, 2019年11月, ポスター(一般)

  • Frequency Adjustable On-Chip Notch Filter to Eliminate Hum Noise for EEG Acquisition

    Ryuto Fukuoka, Syohei Kawazoe,Mikiyoshi Mikawa, and Nobuhiko Nakano

    2019 International Conference on Analog VLSI Circuits (Yilan, Taiwan) , 2019年10月, 口頭(一般)

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競争的資金等の研究課題 【 表示 / 非表示

  • 人工シナプス用多チャンネル膜電位固定LSIの実現

    2014年
    -
    2017年03月

    日本学術振興会, 科学研究費補助金(文部科学省・日本学術振興会), 中野誠彦, 補助金,  代表

受賞 【 表示 / 非表示

  • Certificate of Appreciation

    2020年06月, IEICE Electronics Express Editorial Committee

    受賞区分: その他の賞

  • Taiwan and Japan Conference on Circuits and Systems 2019 Best student paper award

    Jorge Canada, Nobuhiko Nakano, 2019年08月, IEEE CASS, An On-Chip Sub-pW Hz-Range Ring Oscillator

    受賞区分: 国際学会・会議・シンポジウム等の賞,  受賞国: Japan

  • LSIとシステムのワークショップ優秀ポスター賞

    2017年05月, 電子情報通信学会, 標準CMOSプロセスによるオンチップ太陽電池の高性能化

  • エレクトロニクスソサエティ功労賞

    2017年03月, 電子情報通信学会

    受賞区分: 出版社・新聞社・財団等の賞

  • 電気学会 論文発表賞

    中野 誠彦, 1992年, 電気学会

 

担当授業科目 【 表示 / 非表示

  • 計算機構成

    2021年度

  • 卒業研究

    2021年度

  • 電気電子計測

    2021年度

  • 電気情報工学輪講

    2021年度

  • 数値モデリングと計算機シミュレーション

    2021年度

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担当経験のある授業科目 【 表示 / 非表示

  • 電気電子工学実験第二

    慶應義塾, 2014年度, 秋学期, 専門科目, 実習・実験, 兼担

  • 計算機構成

    慶應義塾, 2014年度, 秋学期, 専門科目, 講義, 専任

  • 理工学基礎実験

    慶應義塾, 2014年度, 春学期, 専門科目, 実習・実験, 兼担

  • 数値モデリングと計算機シミュレーション

    慶應義塾, 2014年度, 春学期, 専門科目, 講義, 専任

  • 電気電子計測

    慶應義塾, 2014年度, 春学期, 専門科目, 講義, 専任

 

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 電気学会, 

    1992年
    -
    継続中
  • 応用物理学会, 

    1992年02月
    -
    継続中
  • シリコンテクノロジー分科会, 

    2017年04月
    -
    継続中
  • プラズマエレクトロニクス分科会, 

    1996年03月
    -
    2016年05月
  • 電子通信情報学会, 

    2009年
    -
    継続中

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委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2020年06月
    -
    継続中

    CAS研究会専門委員, 電子情報通信学会

  • 2020年04月
    -
    継続中

    電子・情報・システム部門編修委員会委員, 電気学会

  • 2020年04月
    -
    継続中

    電子・情報・システム部門 役員会 委員, 電気学会

  • 2020年04月
    -
    2022年03月

    サステナブルコンピューティング特別研究会委員長, 電子情報通信学会

  • 2020年04月
    -
    2021年03月

    2020年電子・情報・システム部門大会委員会 委員, 電気学会

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