論文 - 鈴木　哲也

Mictostructure and Grain Boundaries of (Ti,Al)N Films

T.Suzuki, D.Huang and Y.Ikuhara

Surface and Coating Technology 107, (1998)    41-47 1998年

共著

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チタンとアルミニウムの窒化固溶体膜を超硬合金基板上に成長させ、基板界面付近でのアルミニウムの分布状態をEDXで解析した。（７項）

Oriented Graphitic Layer on TiC Nanocube

T.Suzuki

'Molecular Materials' 10, (1998)    181-184 1998年

研究論文（学術雑誌）, 共著

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数十ナノメートルの炭化チタン微粒子上に、カーボンナノチューブをヘテロエピタキシャル成長させ、基板との結晶方位関係を電子線回折法を用いて解析した。（４項）

High Gravity CVD Apparatus for Thin Film Growth

Y.Abe, G.Maizza, N.Sone, Y.Nagasaka and T.Suzuki

Review of Scientific Instrument, 68 , (1997)    4225-4231 1997年

共著

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高重力下で、DCプラズマ法により、気相ダイヤモンドを合成し、プラズマおよび微構造に及ぼす効果を調べた（７項）

Current Status of Heteroepitaxitial Growth of CVD Diamond

T.Suzuki and A.Argoitia

Physica Status Solidi(a) 154, (1996)    239-254 1996年

研究論文（学術雑誌）, 共著

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気相ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長の現状を、基板界面の微構造に重点を置いて解説した。（１６項）

High Resolution Electron Micoscopic Observation of TiC-Coated WC-Co

T.Suzuki, K.Shibuki and Y.Ikuhara

Surface and Coating Technology 76, (1996)    268-275 1996年

共著

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コバルトを含んだ超硬合金上に気相から炭化チタン膜を合成し、合成中のコバルトとタングステンおよび炭素との反応を調べた。（８項）

Microstructure of c-BN Films

W.Zhou, Y.Ikuhara and T.Suzuki

Jpn. Metal Society 37, (1996)    1122-26 1996年

共著

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立方晶窒化ほう素膜の微構造を高分解能電子顕微鏡で観察し、粒界および混在する六方晶窒化ほう素との結晶方位関係を解析した。（５項）

Diamond-Coated Drill and End Mills

T.Suzuki, T. Hattori, A.Endo, M.Yagi and K.Shibuki

Applied Science and Technology 95, Maryland, (1995)    224-231 1995年

研究論文（学術雑誌）, 共著

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気相ダイヤモンドの切削工具への応用に関し、1994年までの研究報告をまとめた。（７項）

Grain Boundary in Cemented Carbide

T.Suzuki, K.Shibuki and Y.Ikuhara

Philosophical Magazine Letter 71, (1995)    289-291 1995年

共著

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高分解能電子顕微鏡により、炭化タングステン特有のシグマ２粒界を発見し、強度特性を微構造から解析した。（３項）

HREM Observation of c-BN Films Deposited on Si Substrate

S.Watanabe, S.Miyake, W.Zhou, Y.Ikuhara and T.Suzuki

Applied Physics Letter 66, (1995)    1478-1480 1995年

共著

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イオンプレーティング法により、立方晶窒化ほう素膜が合成可能であることをマイクロ電子線回折法を用いて明らかにした。（３項）

Lattice Continuity of Transition Metals and a-Alumina

M.Saito, Y.Ikuhara, K.Shibuki and T.Suzuki

Jpn. J. Applied Physics Letter 34, (1995)    1301-1304 1995年

共著

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イオン結合性材料のアルミナと金属結合性材料のニオブ、バナジウムおよびタンタルが微視的にヘテロ関係にあることを電子顕微鏡により直接観察した。（４項）

Direct Observation of h-BN at the Grain Boundaries of c-BN

W.Zhou, Y.Ikuhara, S.Watanabe, M.Murakawa and T.Suzuki

Applied Physics Letter 66, (1995)    2490-2492 1995年

共著

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立方晶窒化ほう素膜の内部応力が、粒界に存在する六方晶窒化ほう素に起因することを明らかにした。（３項）

Orientation Relationships between h-BN and c-BN

W.Zhou, Y.Ikuhara and T.Suzuki

Applied Physics Letter 67, (1995)    3551-3553 1995年

共著

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立方晶窒化ほう素膜中に混在する六方晶窒化ほう素を透過型電子顕微鏡で確認し、結晶方位関係を解析した。（３項）

Growth of an Oriented Graphitic Layer on a TiC Nanocube

T.Suzuki, T.Utsumi, K.Sasaki and K.Shibuki

J. Applied Physics 77, (1995)    3450-3452 1995年

共著

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数十ナノメートルの炭化チタン微粒子上にカーボンナノチューブを成長させ、合成メカニズムを解析した。（３項）

Neutron-Irradiation Damage of Silicon Carbide

T.Suzuki, T.Yano, T.Mori, H.Miyazaki and T.Iseki

Fusion Technology 27, (1995)    314-325 1995年

研究論文（学術雑誌）, 共著

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核融合炉第１壁候補材の炭化ケイ素セラミックスの中性子照射挙動に関し、1950-1994年までの報告をまとめた。（１２項）

Diamond coating on WC-Co and WC for Cutting Tools

K.Shibuki, K.Sasaki, M.Yagi, T.Suzuki and Y.Ikuhara

Surface and Coating Technology 68 / 69, (1994)    369-373 1994年

共著

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コバルトを含んだ超硬合金上に気相からダイヤモンドを合成し、切削工具への応用を試みた。（５項）

Growth of Oriented Diamond on Single Crystal of SiC

T.Suzuki, M.Yagi and K.Shibuki

Applied Physics Letter 64, (1994)    557-559 1994年

共著

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単結晶炭化ケイ素に前処理することで、気相ダイヤモンドがヘテロエピタキシャル成長することがわかった。（３項）

Interface of Tungsten Carbide

T.Suzuki, K.Shibuki and Y.Ikuhara

Materials Processing and Design 44, (1994)    473-481 1994年

共著

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高分解能電子顕微鏡により、炭化タングステン特有のシグマ２粒界を発見し、粒界構造のシミュレーションを行なった。（９項）

Oriented Diamond on Graphite Flakes

T.Suzuki, M.Yagi and K.Shibuki

Applied Physics Letter 65, (1994)    540-542 1994年

共著

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単結晶グラファイト基板上にダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させ、基板との結晶方位関係を明らかにした。（３項）

Diamond Coating on WC for Cutting Tool

K.Shibuki, M.Yagi and T.Suzuki

Diamond Films and Technology 3, (1993)    31-43 1993年

共著

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炭化タングステン基材を気相ダイヤモンドで被覆し、基板との密着強度を測定し、切削工具としての特性を調べた。（１３項）

Orientation Relation between Chemical Vapor Deposited Diamond and Graphite Substrate

Z.Li, T.Suzuki, A.Argoitia, P.Pirouz and J.C.Angus

J. Applied Physics 73, (1993)    711-715 1993年

共著

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グラファイト基板上に気相ダイヤモンドを成長させ、結晶学的方位関係を電子線回折法を用いて決定した。（５項）