慶應義塾研究者情報データベース

学歴 【 表示 ／ 非表示 】

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• 2018年04月

  -

  2021年03月

  名古屋大学, 理学研究科, 物質理学専攻(物理系)

  大学院, 修了, 博士後期

論文 【 表示 ／ 非表示 】

論文 【 表示 ／ 非表示 】

• Spin Pumping into Anisotropic Dirac Electrons

  T Funato, T Kato, M Matsuo

  arXiv preprint arXiv:2206.04899 2022年

• Spin elastodynamic motive force

  T Funato, M Matsuo

  Physical Review Letters 128 (7), 077201 （Physical Review Letters)  128 （ 7 ）  2022年

  ISSN  00319007

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  The spin-motive force (SMF) in a simple ferromagnetic monolayer caused by a surface acoustic wave is studied theoretically via spin-vorticity coupling (SVC). The SMF has two mechanisms. The first is the SVC-driven SMF, which produces the first harmonic electromotive force, and the second is the interplay between the SVC and the magentoelastic coupling, which produces the d.c. and second harmonic electromotive forces. We show that these electric voltages induced by a Rayleigh-type surface acoustic wave can be detected in polycrystalline nickel. No sophisticated device structures, non-collinear magnetic structures, or strong spin-orbit materials are used in our approach. Consequently, it is intended to broaden the spectrum of SMF applications considerably.

  • Access to Document (DOI)

• Quantum transport of a spin-1 chiral fermion

  R Kikuchi, T Funato, A Yamakage

  arXiv preprint arXiv:2205.12670 2022年

• Quantum Transport in Spin-1 Chiral Fermion: Self-Consistent Born Approximation

  R Kikuchi, T Funato, A Yamakage

  arXiv preprint arXiv:2207.06777 2022年

• Acoustic spin current generation in superconductors

  T Funato, A Yamakage, M Matsuo

  arXiv preprint arXiv:2208.10744 2022年

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総説・解説等 【 表示 ／ 非表示 】

総説・解説等 【 表示 ／ 非表示 】

• Spin Elastodynamic Motive Force

  Physical Review Letters  2022年02月

  • Access to Document (DOI)

競争的研究費の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

競争的研究費の研究課題 【 表示 ／ 非表示 】

• 静的歪み構造を利用したスピン流生成機構の微視的解析

  2021年08月

  -

  2023年03月

  文部科学省・日本学術振興会, 科学研究費助成事業, 船戸 匠, 研究活動スタート支援, 補助金,  研究代表者

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  本研究では、物体の静的な歪みとスピンの結合を利用したスピン流生成機構について微視的な解析を行う。スピントロニクスにおける中心概念の一つであるスピン流の生成には、強磁性体やスピン軌道相互作用（SOI）の強い重金属など限られた物質が用いられてきた。一方、SOIの弱い常磁性金属はスピン流の長距離伝搬が可能であるなどデバイス応用上の優位性を持つ。本研究は物質に依存しない普遍的な相互作用を利用したスピン流生成手法の開拓を目指す。